国际著名半导体器件物理学家、微电子学家,中国科学院院士,国际电气与电子工程师协会终身会士,九三学社社员,电子科技大学教授陈星弼先生,因病医治无效,于2019年12月4日17时10分在成都逝世,享年89岁。 陈星弼,1931年1月出生于上海,1952...
2019年12月4日17时10分，浦江籍中科院院士、“中国功率器件领路人”陈星弼在四川成都逝世，享年89岁。 1931年1月28日，陈星弼出生在一个官宦之家，祖籍浙江省浦江县清塘村。祖父曾为清朝武举人，父亲陈德征因家庭贫穷靠勤工俭学就读于杭州之江大学化学系。母亲徐呵梅是浙江余姚人，由于小时聪颖过人，外祖父不仅特许...
真正让陈星弼走进世界舞台对中央，是因为他对“第二次电子革命”对的贡献。20世纪90年代初，行业内专家认为，陈星弼的几项发明成为第二次电子革命的突破口，这一创新在十年内将无人能突破。 在这背后，陈星弼的付出是巨大的。 陈星弼决心啃下这块硬骨头，要让仪器不仅有了一个“聪明的大脑”，还能做到“四肢发达...
我国功率半导体领域的领路人、九三学社社员、中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效,12月4日17时10分在四川成都逝世,享年89岁。 陈星弼1931年1月28日出生于上海,祖籍浙江浦江,1947年至1952年就读于同济大学电机系,先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院(现电子科技大学)工作。1999年当选为中国科学...
2018年,在功率半导体领域最顶级的学术年会上,陈星弼院士入选ISPSD首届名人堂,成为国内首位入选名人堂的华人科学家。 因对我国功率半导体领域的突出贡献,陈星弼先生于1999年当选为中国科学院院士。 因对高压功率MOSFET理论与设计的卓越贡献,他于2015年5月获得IEEE ISPSD大会颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”,成为亚...
国际著名半导体器件物理学家、微电子学家,中国科学院院士,IEEE Life Fellow,九三学社社员,电子科技大学教授陈星弼先生,因病医治无效,于2019年12月4日17时10分在成都逝世,享年89岁。 陈星弼先生1931年1月28日出生于上海,祖籍浙江省金华市浦江县。1952年毕业于同济大学电机系。毕业后在厦门大学电机系、南京工学院(...
如陈院士所言,他的一生,正是以科学服务人类的一生。陈星弼院士的超结发明专利打破了传统“硅极限”,该发明专利成功转让并实现产业化,其延伸产品惠及人类社会生活的方方面面。 在主楼A1-111档案馆举办的陈星弼院士生平展,不仅详细介绍和展示了陈星弼...
沉痛哀念金华籍院士陈星弼 金华籍中国科学院院士陈星弼先生，因病医治无效，于2019年12月4日17时10分在成都逝世，享年89岁。 陈星弼出生于1931年1月，祖籍浙江省金华市浦江县。1952年毕业于同济大学电机系。先后在厦门大学电机系、南京工学院（现东南大学）无线电系、成都电讯工程学院（现电子科技大学）任教。1983...
国际著名半导体器件物理学家、微电子学家,中国科学院院士,IEEE Life Fellow,九三学社社员,电子科技大学教授陈星弼先生,因病医治无效,于2019年12月4日17时10分在成都逝世,享年89岁。 陈星弼先生1931年1月28日出生于上海,祖籍浙江省金华市浦江县。1952年毕业于同济大学电机系。毕业后在厦门大学电机系、南京工学院(...