国际著名半导体器件物理学家、微电子学家,中国科学院院士,国际电气与电子工程师协会终身会士,九三学社社员,电子科技大学教授陈星弼先生,因病医治无效,于2019年12月4日17时10分在成都逝世,享年89岁。 陈星弼,1931年1月出生于上海,195...
正版 微电子器件4版 陈星弼 陈勇著 高等学校电子科学与技术 集成电路设计与集成系统 微电子学专业 微电子器件设计书籍点击进入9.9元专区>> ¥49.00 (8.31折) 降价通知 定价¥59.00 暂无评分 0人评分精彩评分送积分 作者 陈星弼 查看作品 出版 电子工业出版社,2024年01月 查看作品 分类 图书>中小学用书...
几篇论文相继发表,“功率半导体器件及高压集成电路”这个崭新而陌生的词组从此与陈星弼紧密联系在一起。“尤其值得高兴的是,‘半导体器件与微电子学’还高分通过了博士点申请。”陈星弼说。 群英共助攀高峰 本世纪初,行业内专家认为,陈星弼的几项发明成为了第二次电子革命的突破口,这一创新在十年内无人突破。 第一...
微电子器件第4版 陈星弼 陈勇著 高等学校电子科学与技术 集成电路设计与集成系统 微电子学专业教材 微电子器件设计书籍 作者:陈星弼出版社:电子工业出版社 手机专享价 ¥ 当当价 降价通知 ¥50.88 定价 ¥59.90 配送至 北京 至 北京市东城区 服务 由“清流图书专营店”发货,并提供售后服务。
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陈星弼先生是国际著名半导体器件物理学家、微电子学家,中国科学院院士,国际电气与电子工程师协会终身会士,九三学社社员,电子科技大学教授。他是国际半导体界著名的超结结构(Super Junction)的发明人,该发明被称为“功率器件的新里程碑”,其美国发明专利已被超过550个国际专利引用。2018年,在功率半导体领域最顶级的...
陈星弼《微电子器件》课件讲义(电子科技大学版)
IT之家12月4日消息 据中国科学院官方微博12月4日消息,陈星弼院士逝世。 2019年12月4日17时10分,半导体器件及微电子学专家、“中国功率器件领路人”陈星弼在四川成都逝世,享年89岁。陈星弼,1931年1月出生于上海,1952年毕业于国立同济大学电机系,先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作,1956年开始在...
微电子器件(3-3) 陈星弼课件.ppt,* 3.3 缓变基区晶体管的电流放大系数 本节以 NPN 管为例,结电压为 VBE 与 VBC 。 P N+ N 0 xjC xjE NE(x) NB(x) NC x 0 xjC xjE 本节求基区输运系数 的思路 进而求出基区渡越时间 将 E 代入少子电流密度方程,求出 JnE 、nB (x) 与 QB 令基