限制输入电压和电流:在集成电路的输入端添加限压和限流电路,防止外部电压或电流冲击对电路造成影响,从而避免触发闩锁效应。 加强测试与筛选:在集成电路的生产过程中,加强测试与筛选工作,及时发现并剔除存在闩锁效应风险的器件,确保产品的可靠性。 通过以上措施的实施,可以有效地防止和解决闩锁效应问题,提高集成电路的可靠...
9.选择合适的元器件:选择合适的元器件可以降低闩锁效应的概率。例如,选择高耐受电压、高抗热稳定性的元器件。 总结 闩锁效应是集成电路设计和制造中常见的问题,但可以通过合理的设计和优化解决方案来减少闩锁效应的概率。在设计过程中,我们应该密切注意闩锁效应的可能性,并采取适当的措施来解决和预防。以上提到的方法只...
解析 答:原因:集成度的提高,尺寸缩小,掺杂浓度提高,寄生管的hFE变大。图形见教材p-50,图3.18。解决方法:1、选材及设计改进(1)、采用SOS/CMOS工艺,(2)、采用保护环,(3)、采用N/N+外延并在阱区设置埋层;2、改进版图设计;3、遵守使用规程,确保使用可靠性。
多次循环之后,电流会被持续放大。 三、闩锁效应的抑制方法(部分方法): 1.拉开NMOS和PMOS的间距:破坏电流循环中的一环,使侧面式NPN BJT管子的基区变厚,载流子的收集变的困难,很难进行电流的放大。 2.使用Guard ring,衬底电位接出的部分采用环形绕线: 降低VDD和Vss的导通电阻,也即降低Rwell和Rsub的阻值,防止BJT...
闩锁效应,闩锁效应解决方法-KIA MOS管 CMOS电路中,存在寄生的三极管PNPN,它们相互影响在VDD与GND间产生一低阻通路,形成大电流,烧坏芯片这就是闩锁效应。 闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的,当...
稳定性问题4.3.4大注入效应第四章闩锁模型及分析4.4安全区——阻塞态的严格定义014.4.1对称pnpn结构024.4.2n阱悬空的三极管034.4.3衬底悬空的三极管044.4.4普通四极管第四章闩锁模型及分析4.5饱和区模型——一个新观点4.5.1电流方程4.5.2微分电阻4.5.4保持电压4.5.3保持电流第四章闩锁模型及分析4.6闩锁的图解说明...
闩锁(Lanch-up)效应,一般我们也可以称之为擎住效应,是由于IGBT超安全工作区域而导致的电流不可控现象,当然,闩锁效应更多的是决定于IGBT芯片本身的构造。 2019-05-28 14:57:19 CDMA网络中的信号干扰问题及解决方法 在CDMA网络中,存在以下几种信号干扰问题,并提供相应的解决方法 ...
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