随着电子技术的发展,电子电路的集成度越来越高,相关的电压瞬变会引起半导体器件失效,即锁定效应(latch-up)。锁定效应可使得器件在电源与地之间形成短路,造成大电流、EOS 和器件损坏。 锁定效应(latch-up)产生的条件:如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上,则该氧化物薄膜就会因介质击穿而损坏。很细的金...
寄生电路的效应:Latch-Up(锁定)Latch-Up(锁定)是CMOS存在一种寄生电路的效应,它会导致VDD和VSS短路,使得晶片损毁,或者至少系统因电源关闭而停摆。这种效应是早期CMOS技术不能被接受的重要原因之一。在制造更新和充分 muwurwr 2018-08-23 06:06:17 霍尔效应锁定传感器的特点概述 OCH184(霍尔效应锁定传感器) 2022...
ResearchonLatchupEffectofCMOSIntegratedCircuitsandTestMethodStandards 中国电子技术标准化研究院蔡依林李锟 摘要针对CMOS集成电路的锁定效应,论述集成电路锁定效应的产生机制和失效机理,对目前国际上各大标准化组织发布实施的锁定试验方法标准进行对比分析,详细阐述JEDEC的JESD78号标准的技术内容,包括试验分类、试验程序、试验方...
文章认为 :第一 ,锁定效应是资源型经济的突出特征 ;第二 ,通过对资源禀赋的探讨 ,可以寻找到反锁定安排的“产业可行集” ;第三 ,适当的金融支持是可以起到通过关键性资源配置引导产业结构变迁作用的。 3) Latch-up test 锁定效应测试 补充资料:锁
关键词:CMOS;单粒子锁定;SOI 材料;DDS 器件;防护电路设计;辐射试验中图分类号:V443 文献标识码:ASingle Event Latch- up in CMOS and It’s Protection DesignLV Qiang, ZHANG Chao-hui, FU Xiao-yun, DENG Ming, LI Wen-hua(No.36 Research Institute of CETC, Jiaxing Zhejiang 314033, china)Abstract...
Keywords:singleeventlatch-up;pulsedlasersimulation;timemeasurementchip;spaceradiationprotection 0引言 随着大规模集成电路技术的发展,宇航器件在 复杂的空间辐射环境中易发生单粒子锁定(SEL) 效应 [1] 。为了使器件在空间环境中可靠地工作,必 须在地面进行SEL测试评估。单粒子锁定测试通常 ...
The magnetic field is indicated via a digital bipolar latch output. The IC has an open drain output stage with 30mA current sink capability. A wide operating voltage range from 2.5 to 38V with reverse polarity protection up to -22V makes the device suitable for a wide range of industrial ...
随着电子技术的发展,电子电路的集成度越来越高,相关的电压瞬变会引起半导体器件失效,即锁定效应(latch-up)。锁定效应可使得器件在电源与地之间形成短路,造成大电流、EOS 和器件损坏。 锁定效应(latch-up)产生的条件:如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上,则该氧化物薄膜就会因介质击穿而损坏。很细的金...