偏置电场移动PZST陶瓷在PZST反铁电陶瓷电场诱导的亚稳铁电态中,观察到铁电-反铁电相变温度随偏置电场的增大向高温方向移动,平均移动幅度为 39℃/kV· mm^(-1)左右,移动范围可从室温到 90℃附近,远大于偏置电场对其他相变温度的影响.伴随着铁电-反铁电相变,热释电电流出现峰值,峰宽可达几十度,热释电系数可达 ...
近日,西安交大材料学院强度室邓俊楷教授同澳大利亚墨尔本大学Zhe Liu副教授合作,通过第一性原理计算,在具有皱褶结构的双层IV-VI族二维材料MX(M=Ge, Sn; X=S, Se)中发现了层间滑移诱发的面内可逆铁电-反铁电相变现象。深入分析发现,通常看似较弱的层间范德华力可以引起MX面内晶格发生畸变,在层间滑移过程中导致...
深入分析发现,通常看似较弱的层间范德华力可以引起MX面内晶格发生畸变,在层间滑移过程中导致上层MX的面内共价键发生重构,导致极化方向翻转,从而实现铁电和反铁电相之间的相互转变。此外,基于该物理现象,提出了利用层间滑移诱发铁电-反铁电相变的纳米发电机模型。由于滑移过程中,能够产生高达40 μC/cm2的铁电极化变化...
深入分析发现,通常看似较弱的层间范德华力可以引起MX面内晶格发生畸变,在层间滑移过程中导致上层MX的面内共价键发生重构,诱发极化方向翻转,从而实现铁电和反铁电之间的相互转变。此外,基于该物理现象,提出了利用层间滑移诱发铁电-反铁电相变的纳米发电机模型。由于滑移过程中,能够产生高达40μC/cm2的铁电极化变化,同...
近日,华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室段纯刚教授、钟妮研究员课题组与中科院半导体所魏钟鸣研究员课题组合作利用外部电场在室温下首次实现了二维范德华材料GeSe的电场诱导的反铁电-铁电相变。该工作主要分为三部分: 1.以第一性原理计算为指导、结合多种表征手段包括显微拉曼和球差电镜等对GeSe的初始态-反铁...
摘要:用石英计测量了PZT一95/5陶瓷在冲击波作用下发生铁电一反铁电一级相变时产 生的双波结构,相变起始压力约为0.5GPa。对不同状态下的PZT一95/5陶瓷材料进行了扫描 电镜电畴分析,结果表明,在该压力区域陶瓷发生了铁电一反铁电相变。 关键词:铁电陶瓷;冲击波;铁电一反铁电相变 ...
铁电-反铁电相变无铅铁电陶瓷材料、陶瓷元件及其制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,铁电-反铁电相变无铅铁电陶瓷材料、陶瓷元件及其制备方法说明:本发明涉及铁电-反铁电相变无铅铁电陶瓷材料、陶瓷元件及其制备方法,所述铁电-反铁电相变无铅铁电...专利查询请上爱
铁电反铁电相变4) antiferroelectric phase transition 反铁电相变 1. In the paraelectric-antiferroelectric phase transition of antiferroelectrics lead zirconate (PbZrO 3),the symmetry of crystalloid changes. 在反铁电晶体锆酸铅 (PbZrO3 )顺电反铁电相变中 ,伴随有对称性的变化。 更多例句>> 5...
通过对比在平行与反平行条件下，利用相同大小的正向工作电场测试陶瓷的电卡效应，结果表明，平行方向的记忆效应使得电卡信号出现的阈值电场明显降低，这是由于铁电畴快速翻转瞬间和随后的铁电-反铁电相变过程共同作用的结果。在温度稍高于铁电-反铁电相变温度时，观察到一种异常的电卡热响应现象：去电场时，先...
在PZST反铁电陶瓷电场诱导的亚稳铁电态中, 观察到铁电-反铁电相变温度随偏置电场的增大向高温方向移动, 平均移动幅度为39℃/kV·mm-1左右, 移动范围可从室温到90℃附近, 远大于偏置电场对其他相变温度的影响. 伴随着铁电-反铁电相变, 热释电电流出现峰值, 峰宽可达几十度, 热释电系数可达10-6 C/cm2......