偏置电场移动PZST陶瓷在PZST反铁电陶瓷电场诱导的亚稳铁电态中,观察到铁电-反铁电相变温度随偏置电场的增大向高温方向移动,平均移动幅度为 39℃/kV· mm^(-1)左右,移动范围可从室温到 90℃附近,远大于偏置电场对其他相变温度的影响.伴随着铁电-反铁电相变,热释电电流出现峰值,峰宽可达几十度,热释电系数可达 ...
对于004x007的反铁电四方相低温下呈现介电弛豫特征并可被外电场诱导为亚稳铁电态温度升高时亚稳铁电反铁电相变反铁电顺电相变引起两个热释电流峰偏置电场下峰位和峰强均发生移动在温度电场相图中也形成了铁电反铁电顺电三相点 (PbBa)(Zr,Sn,Ti)O3反铁电弛豫型铁电相界陶瓷的相变与介 (PbBa)(Zr,Sn,Ti)O3反...
与此同时,作为铁电家族另一个成员-反铁电体在二维材料中的研究则由于表征难度大等问题则鲜有报道。 【成果简介】 近日,华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室段纯刚教授、钟妮研究员课题组与中科院半导体所魏钟鸣研究员课题组合作利用外部电场在室温下首次实现了二维范德华材料GeSe的电场诱导的反铁电-铁电相变。该...
铅基反铁电陶瓷的相变行为与其电卡效应密切相关。反铁电-铁电场致相变是反铁电陶瓷最基本的特征之一,这使得铅基反铁电陶瓷有望获得优异的电卡性能。然而,目前对于反铁电陶瓷电卡效应的研究还存在许多不足,如研究方法、机理解释以及制冷循环设计等方面的问题。 三、铅基反铁电的应用...
深入分析发现,通常看似较弱的层间范德华力可以引起MX面内晶格发生畸变,在层间滑移过程中导致上层MX的面内共价键发生重构,导致极化方向翻转,从而实现铁电和反铁电相之间的相互转变。此外,基于该物理现象,提出了利用层间滑移诱发铁电-反铁电相变的纳米发电机模型。由于滑移过程中,能够产生高达40 μC/cm2的铁电极化...
近日,西安交大材料学院强度室邓俊楷教授同澳大利亚墨尔本大学Zhe Liu副教授合作,通过第一性原理计算,在具有皱褶结构的双层IV-VI族二维材料MX(M=Ge, Sn; X=S, Se)中发现了层间滑移诱发的面内可逆铁电-反铁电相变现象。深入分析发现,通常看似较弱的层间范德华力可以引起MX面内晶格发生畸变,在层间滑移过程中导致...
对相变后的铁电体,通过加热或加压等方式可使其回复为反铁电体。该过程伴随着极大的应力变化和高密度电荷瞬间释放的现象,因而反铁电体成为应用于高密度储能电容器的优秀候选材料[8]。由于反铁电相变储能材料具有储能密度高、储能放能近似等温、过程易控制等特点,能够解决能量供求在时间和空间上分配不平衡的矛盾,是提高...
在此,来自中国科学院上硅所、上海科技大学等研究者在反铁电陶瓷温致相变研究中取得重要进展,报道了在基于PbZrO3的系统中观察到多态相变由几个步骤组成,即电魔梯,它起源于铁电相互作用和反铁电相互作用。相关论文以题为“Discovery of electric...
铁电-反铁电相变 等静压诱导的PbLa(Zr,Sn,Ti)O3 陶瓷铁电-反铁电相变性能研究 等静压 压致相变 铁电-反铁电相变 介电压谱 弛豫行为 反铁电爆电换能电源研究 爆电换能 铁电-反铁电相变 电输出特性 介电微裂纹对铁电陶瓷有效电弹性质的影响 铁电陶瓷 畴变 微裂纹 有效性质内容...
近日,材料学院强度室邓俊楷教授同澳大利亚墨尔本大学Zhe Liu副教授合作,通过第一性原理计算,在具有皱褶结构的双层IV-VI族二维材料MX(M=Ge, Sn; X=S, Se)中发现了层间滑移诱发的面内可逆铁电-反铁电相变现象。深入分析发现,通常看似较弱的层间范德华力可以引起MX面内晶格发生畸变,在层间滑移过程中导致上层MX的...