移动PZST陶瓷在PZST反铁电陶瓷电场诱导的亚稳铁电态中,观察到铁电-反铁电相变温度随偏置电场的增大向高温方向移动,平均移动幅度为 39℃/kV· mm^(-1)左右,移动范围可从室温到 90℃附近,远大于偏置电场对其他相变温度的影响.伴随着铁电-反铁电相变,热释电电流出现峰值,峰宽可达几十度,热释电系数可达 10^(-6...
来自西安交通大学的邓俊楷教授团队与澳大利亚墨尔本大学的刘哲教授,通过第一性原理计算,在具有皱褶结构的双层IV-VI族二维材料MX(M=Ge,Sn; X=S, Se)中,发现了层间滑移诱发的面内可逆铁电-反铁电相变现象。深入分析发现,通常看似较弱的层间范德华力可以引起MX面内晶格发生畸变,在层间滑移过程中导致上层MX的面内...
近日,西安交大材料学院强度室邓俊楷教授同澳大利亚墨尔本大学Zhe Liu副教授合作,通过第一性原理计算,在具有皱褶结构的双层IV-VI族二维材料MX(M=Ge, Sn; X=S, Se)中发现了层间滑移诱发的面内可逆铁电-反铁电相变现象。深入分析发现,通常看似较弱的层间范德华力可以引起MX面内晶格发生畸变,在层间滑移过程中导致...
铁电-反铁电相变无铅铁电陶瓷材料、陶瓷元件及其制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,铁电-反铁电相变无铅铁电陶瓷材料、陶瓷元件及其制备方法说明:本发明涉及铁电-反铁电相变无铅铁电陶瓷材料、陶瓷元件及其制备方法,所述铁电-反铁电相变无铅铁电...专利查询请上爱
近日,西安交大材料学院强度室邓俊楷教授同澳大利亚墨尔本大学Zhe Liu副教授合作,通过第一性原理计算,在具有皱褶结构的双层IV-VI族二维材料MX(M=Ge, Sn; X=S, Se)中发现了层间滑移诱发的面内可逆铁电-反铁电相变现象。深入分析发现,通常看似较弱的层间范德华力可以引起MX面内晶格发生畸变,在层间滑移过程中导致...
按照这一思路找出了反铁畸变即目相变的序参量兀。,它是三阶全对称的物性张量。利用该序参量研究了典型的反铁畸变晶体一PZT晶体和钛酸锶晶体,发现它能很好铁电辐变自由转的系罗《研究与反铁电褶变序参量选取!!!苎lmI——.!!! 君,已阅读到文档的结尾了呢~~ 立即下载相似精选,再来一篇 tmd20083...
2002文章编号:1000—5773(2002)03—023卜O6冲击加载下PZT-95/5陶瓷铁电一反铁电相变实验研究刘高曼,谭华,袁万宗,王海晏,张毅(中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理实验室,四川绵阳621900)摘要:用石英计测量了PZT一95/5陶瓷在冲击波作用下发生铁电一反铁电一级相变时产生的双波结构,相变起始压力约...
在此,来自中国科学院上硅所、上海科技大学等研究者在反铁电陶瓷温致相变研究中取得重要进展,报道了在基于PbZrO3的系统中观察到多态相变由几个步骤组成,即电魔梯,它起源于铁电相互作用和反铁电相互作用。相关论文以题为“Discovery of electric devil’s staircase in perovskite antiferroelectric”发表在Science Advances...
此外,当温度略高于铁电-反铁电相变温度时,记忆效应甚至会导致异常的电卡热响应:去电场时,先瞬间吸热,再缓慢吸热。这可归因于两步微结构变化,瞬间吸热对应于铁电畴的快速翻转,而缓慢吸热对应于缓慢的铁电-反铁电相变过程。朗道理论分析表明,这种等温相变过程是由动力学亚稳的场致铁电相与热力学稳定的反铁电相之间的...
对不同状态下的PZT-95/5陶瓷材料进行了扫描电镜电畴分析,结果表明,在该压力区域陶瓷发生了铁电 反铁电相变。关键词:铁电陶瓷;冲击波;铁电 反铁电相变中图分类号: 521.23; 347.1文献标识码:A1引言PZT-95/5陶瓷是一种锆钛酸铅类铁电陶瓷,其化学式为Pb(Zr!Ti1 !) 3,因其中!=0.95,即陶瓷的化学式中锆钛比为...