金属以自由电子为导电载体,费米能级附近存在大量可移动的电子;半导体则具有禁带结构,载流子浓度受温度、掺杂等因素显著影响。当这两种材料接触时,界面处形成空间电荷区,导致能带弯曲并产生接触电势差。 在理想状态下,金属与半导体接触可分为两种典型类型。第一种为肖特基接触,其特征是形成整流特性接触势垒。以n型半导体...
任何半导体器件或集成电路都要与外界接触,这些接触通过欧姆接触来实现。欧姆接触是金属-半导体接触,但不是整流接触。欧姆接触是接触电阻低,且在金属和半导体两侧都能形成电流的接触。理想情况下,通过欧姆接触的电流是外加偏压的线性函数。 通常有两种欧姆接触:理想非整流接触,势垒隧穿 下图展示了\phi_m<\phi_s时,金...
一、金属半导体接触基本参数 1、金属功函数与哪些因素有关 2、半导体功函数与哪些因素有关 二、接触电势差 1、肖特基-莫特模型 2、巴丁模型 摘要:在微电子和光电子器件中,半导体材料和金属、半导体以及绝缘体的各种接触是普遍存在的,如MOS器件、肖特基二极管、气体传感器等。薄膜技术及纳米技术的发展,使得界面接触显得...
二、金属-半导体接触的功能 1. 形成欧姆接触或肖特基接触:根据金属和半导体的功函数差异,它们之间的接触可以形成欧姆接触或肖特基接触。欧姆接触具有线性且对称的I-V特性,电阻较低,适用于电流注入或导出。而肖特基接触则具有整流特性,可用于制作二极管等器件。 2. 控制电流和电压:金属与半导体的接...
【半导体培训资料】金属半导体接触 第四章金属-半导体结 前言 金属－半导体结由金属和半导体接触形成的。金属－半导体接触出现两个最重要的效应：欧姆效应，若二者有整流作用，则叫整流接触，反之，叫欧姆接触。这是整流效应和由于金属与半导体相接触时在半导体表面形成一个“表面势垒”这种因金属－半导体接触，通常称为“...
金属与半导体接触大致可以分为两类[1]:一种是具有整流特性的肖特基接触(也叫整流接触),另一种是类似普通电阻的欧姆接触。 金属与半导体接触特性与两种材料的功函数有关。所谓功函数,也称之为逸出功,是指材料的费米能级与真空能级之差,即W=E0-EF(E0为真空能级,EF为费米能级)。它是表征固体材料对电子的约束能...
金属与半导体接触是半导体器件中最基本的结构之一,其作用是将外电路与半导体内部的pn结相连,实现电子、空穴的流动及信息传输。金属与半导体接触类型主要有Schottky接触和Ohmic接触。 1. Schottky接触 Schottky接触是一种非线性接触,其在金属与半导体之间形成一个空间电荷区域,该区域存在一个内...
半导体一侧的势垒高度(理论): 金属一侧的势垒高度(理论,肖特基势垒): ①当金属与n型半导体接触时,若Wm>Ws,半导体电子向金属转移至费米能级相平,并在半导体表面形成一个正的空间电荷区,其中电场方向由体内指向表面(由半导体指向金属),沿电场方向,电势下降,电势能升高,Vs<0,使半导体表面电子的能量高于体内,半导体表面...
1. 初识半导体 2. 金属-半导体接触 (1)金属-n型半导体接触 (2)金属-p型半导体接触 3. p-n 结 4. MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管) (1)MOS电容由Gate层(金属层),氧化物层,半导体(Si)层三部分构成。 (2)阈值电压 (3)MOSFET(mental oxide scilion field effect transitior)简称MOS管, 5. BJT(...
在微波通信领域,金属-半导体场效应晶体管(MESFET)采用肖特基栅极结构,通过栅极电压调制沟道导电性,在卫星通信设备中完成高频信号放大,工作频率可达100GHz以上。典型材料组合如金与硅接触形成的势垒高度约为0.8eV,铝与砷化镓接触势垒高度约0.7eV,这些参数直接影响器件击穿电压和漏电流水平。 欧姆接触要求金属与半导体界面呈现...