1. 能量差异:金属和半导体之间存在能量差异,这种能量差异会导致电子从半导体流向金属或者从金属流向半导体。 2. 界面态:金属半导体接触面会形成一些界面态,这些界面态会对电子的传输产生影响。 3. 空间电荷区:金属半导体接触面会形成一个空间电荷区,这个区域的电子浓度会影...
从COMSOL Multiphysics® 软件 6.0 版本开始,我们在半导体模块中对半导体 物理场接口的金属接触 边界条件引入了可选的接触电阻的贡献,也就是能够设置金属电极接触材料的电阻。在这篇博文中,我们将使用跨桥开尔文电阻器的基准模型来讨论如何应用这个新功能。 模型结构 跨桥开尔文电阻器结构通常用于表征金属-半导体接触的...
在半导体技术中,肖特基接触是指金属与半导体之间的接触,这种接触具有独特的电学特性。其中,电阻参数是衡量这种接触性能的重要指标之一。接触电阻的大小直接影响到电流通过接触面时的损耗,进而影响整个半导体器件的性能。 二、电阻参数的重要性 1. 能耗与效率:接触电阻越...
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从 COMSOL Multiphysics® 软件 6.0 版本开始，我们对半导体模块中金属接触边界的物理场接口引入了可选接触电阻的贡献，使我们能够设置金属电极接触材料的电阻。本文将使用跨桥开尔文电阻器的基准模型来探讨如何应用这一新功能。跨桥开尔文电阻器通常用于表征金属-半导体接触的接触电阻。我们采用了参考文献...
金属-半导体界面的电学接触电阻已成为半导体行业越来越关键但尚未解决的问题,阻碍了电子器件的最终缩放和性能。产生这种电阻的主要原因是在金属电极和半导体之间形成了能垒-肖特基势垒,归因于(I)金属功函数和半导体电子亲和势之间的能量差;(II)金属诱导的间隙态(MIGS),导致费米级钉扎。先进的超越硅电子技术既需要沟道材...
综合多种因素考虑,认为 圆点传输线模型是一种较好的测量金属半导体接触电阻率的方法. 关键词:金属一半导体接触;接触电阻率;传输线模型 中图分类号:TN30407;TN30593文献标识码:A文章编号:lIX)3—353X(2008)02—0155—05 MeasurementandCalculationofSpecificContactResistancein Meta1.SemiconductorContacts LiHongjian,...
CTLM是一种通过测量金属半导体接触在不同电压下的电流输运特性来确定欧姆接触电阻率的方法。实验过程中，将金属与半导体之间施加一定的电压，测量相应的电流值。根据实验数据，利用欧姆定律计算出接触电阻率。为了准确测量接触电阻率，实验过程中需注意以下几点：1、实验设置：选择合适的实验设备，如恒压电源、恒流电源、...
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金属-半导体欧姆接触的接触电阻率