金属以自由电子为导电载体,费米能级附近存在大量可移动的电子;半导体则具有禁带结构,载流子浓度受温度、掺杂等因素显著影响。当这两种材料接触时,界面处形成空间电荷区,导致能带弯曲并产生接触电势差。 在理想状态下,金属与半导体接触可分为两种典型类型。第一种为肖特基接触,其特征是形成整流特性接触势垒。以n型半导体...
一、金属半导体接触基本参数 1、金属功函数与哪些因素有关 2、半导体功函数与哪些因素有关 二、接触电势差 1、肖特基-莫特模型 2、巴丁模型 摘要:在微电子和光电子器件中,半导体材料和金属、半导体以及绝缘体的各种接触是普遍存在的,如MOS器件、肖特基二极管、气体传感器等。薄膜技术及纳米技术的发展,使得界面接触显得...
金属半导体接触整流理论是描述金属和半导体之间形成的接触结构在外加电场作用下表现出整流效应的理论框架。这种接触通常被称为Schottky接触,其中金属与半导体之间形成了一个势垒,这个势垒相对于PN结二极管的势垒来说较低。整流效应是指在金属半导体接触中,当施加正向电场时,电流得以导通,而在反向电场下,电流受到阻碍。这种整...
金属半导体接触是指金属和半导体之间的接触这种接触可以导致电子的转移和重新排列。金属半导体接触的形成可以通过多种方法实现例如金属沉积、溅射、热蒸发等。在形成金属半导体接触时需要考虑金属和半导体的性质以及它们之间的相互作用。金属半导体接触在电子器件、太阳能电池等领域有着广泛的应用。金属半导体接触的特性 金属...
1. 形成欧姆接触或肖特基接触:根据金属和半导体的功函数差异,它们之间的接触可以形成欧姆接触或肖特基接触。欧姆接触具有线性且对称的I-V特性,电阻较低,适用于电流注入或导出。而肖特基接触则具有整流特性,可用于制作二极管等器件。 2. 控制电流和电压:金属与半导体的接触界面可以影响电流的传导。通...
金属半导体接触是指金属和半导体之间的界面，其中金属和半导体的自由电子和空穴的行为受到相互影响。02 特性：金属半导体的电子结构、界面能带结构、电荷转移和空间电荷区等特性。金属半导体接触的重要性 在电子器件和集成电路中，金属半导体接触是实现电子传输和收集的关键部分，对器件性能具有重要影响。在太阳能电池、传感器...
一、金属与半导体接触类型 金属与半导体接触是半导体器件中最基本的结构之一,其作用是将外电路与半导体内部的pn结相连,实现电子、空穴的流动及信息传输。金属与半导体接触类型主要有Schottky接触和Ohmic接触。 1. Schottky接触 Schottky接触是一种非线性接触,其在金属与半导体之间形成一个空间...
金属与N型半导体接触,WM>WS时 WM>WS意味着金属的费米能级低于半导体的费米能级。当金属与N型半导体理想接触时,半导体中的电子将向金属转移,使金属带负电,但是金属作为电子的的“海洋”,其电势变化非常小;而在半导体内部靠近半导体表面的区域则形成了由电离施主构成的正电荷空间层,这样便产生由半导体指向金属的内建...
肖特基接触基于金属与半导体之间功函数差异形成的势垒层,这一特性被广泛应用于高频器件。例如,肖特基二极管利用金属与N型半导体接触产生的低正向压降特性,在开关电源和射频电路中实现快速整流功能,其反向恢复时间比普通PN结二极管缩短90%以上。在微波通信领域,金属-半导体场效应晶体管(MESFET)采用肖特基栅极结构,通过栅极电压...
半导体一侧的势垒高度(理论): 金属一侧的势垒高度(理论,肖特基势垒): ①当金属与n型半导体接触时,若Wm>Ws,半导体电子向金属转移至费米能级相平,并在半导体表面形成一个正的空间电荷区,其中电场方向由体内指向表面(由半导体指向金属),沿电场方向,电势下降,电势能升高,Vs<0,使半导体表面电子的能量高于体内,半导体表面...