2024年3月13日,美国商务部产业与安全局(BIS)修订美国《出口管理条例》(EAR),明确对抗辐射加固集成电路(radiation hardened integrated circuits)及包含此类集成电路的计算机和电信设备的管制。[1] 抗辐射加固是指为使半导体器件和集成电路在辐射环境中...
《集成电路器件抗辐射加固设计技术》具备如下特点：率先考虑到强辐射环境下集成电路器件的容错设计问题，创造性地实现了锁存器的四节点翻转的容忍与在线自恢复，以及主从触发器、SRAM 存储单元及表决器的新型抗辐射加固设计；全面而详细地介绍了辐射与抗辐射的相关重要概念、常用的抗辐射加固设计组件，并给出了新颖的集成...
1. 明确抗辐射加固集成电路出口管制范围 本次临时最终规则通过对美国出口管制目录(CCL)上的出口管制分类号(ECCN)4A001、4A101、5A001、6A203和6A999的相关段落中增加说明,澄清解释了,将抗辐射加固集成电路加入进CCL上其他ECCN规定的产品或指定为EAR99的产品,并不会导致相关产品被视为符合ECCN 4A001.a.2、4A101....
1. 明确抗辐射加固集成电路出口管制范围 本次临时最终规则通过对美国出口管制目录(CCL)上的出口管制分类号(ECCN)4A001、4A101、5A001、6A203和6A999的相关段落中增加说明,澄清解释了,将抗辐射加固集成电路加入进CCL上其他ECCN规定的产品...
随着人类探索深空、深海、深陆等领域的深入,越来越多的电子设备被用于极端环境下,如高辐射环境、高温高压环境、低温低压环境等。由于电子设备易受到环境辐射而导致的设备故障,阻碍了电子设备的可靠工作,为此,集成电路抗辐射加固技术应运而生。 二、 集成电路抗辐射加固技术的意义 集成电路在高能...
2024年3月13日,美国商务部产业与安全局(BIS)修订美国《出口管理条例》(EAR),明确对抗辐射加固集成电路(radiation hardened integrated circuits)及包含此类集成电路的计算机和电信设备的管制。[1] 抗辐射加固是指为使半导体器件和集成电路在辐射环境中能够正常工作或具有很长的使用寿命所需采取的工艺措施。该技术广泛应...
因此,开展集成电路抗辐射加固技术的研究和应用具有重要意义。 辐射对集成电路的影响主要表现在两个方面:辐射效应和辐射损伤。辐射效应是指在辐射环境下,电磁辐射或粒子辐射引起的电压、电流、功耗等参数的变化。辐射损伤则是指辐射引起的材料损伤,包括晶格缺陷、电离效应、能带结构改变等。这些辐射效应和辐射损伤会导致...
《CMOS集成电路抗辐射加固设计要求》是2022年7月1日即将实施的一项中国国家标准。编制进程 2021年12月31日，《CMOS集成电路抗辐射加固设计要求》发布。2022年7月1日，《CMOS集成电路抗辐射加固设计要求》实施。起草工作 主要起草单位：中国航天科技集团有限公司第九研究院第七七一研究所。主要起草人：刘智、葛梅、谢...
美国Harris、TI、HP等公司都已开发、生产多个系列抗辐射加固的SIMOX/CMOS电路。超薄亚微米SIMOX电路中的MOSFET是全耗尽型的,仅产生一维的电场线,可消除Kink效应,避免了因衬底接地造成的面积利用率的降低,有利于提高集成电路的集成度,改善电路的信号传输延迟性能。表4给出了几种高速电路的单门延迟时间。