《集成电路器件抗辐射加固设计技术》具备如下特点：率先考虑到强辐射环境下集成电路器件的容错设计问题，创造性地实现了锁存器的四节点翻转的容忍与在线自恢复，以及主从触发器、SRAM 存储单元及表决器的新型抗辐射加固设计；全面而详细地介绍了辐射与抗辐射的相关重要概念、常用的抗辐射加固设计组件，并给出了新颖的集成...
因此,开展集成电路抗辐射加固技术的研究和应用具有重要意义。 辐射对集成电路的影响主要表现在两个方面:辐射效应和辐射损伤。辐射效应是指在辐射环境下,电磁辐射或粒子辐射引起的电压、电流、功耗等参数的变化。辐射损伤则是指辐射引起的材料损伤,包括晶格缺陷、电离效应、能带结构改变等。这些辐射效应和辐射损伤会导致...
目前,集成电路抗辐射加固技术主要有以下几种方法: 1.设备运行在低温环境下; 2.采用硬防护结构; 3.控制电场; 4.改变集成电路的工艺流程。 其中硬防护和改变工艺流程为最常用的方法:硬防护可以在设计时通过控制结构来实现,将集成电路包覆在特殊的材料中,同时在特定的方式下降低其温度等; 改变工...
图书 > 电子与通信 > 微电子学、集成电路(IC) > 科学出版社(SCIENCE PRESS) > 集成电路器件抗辐射加固设计技术 自营 科学出版社京东自营官方旗舰店 集成电路器件抗辐射加固设计技术 闫爱斌等 著 京东价 ￥ 促销 展开促销 配送至 --请选择-- 支持
介质隔离工艺是SOI结构中最早采用的一种隔离技术。几十年来工艺技术不断发展和完善,美国哈里斯公司曾采用介质隔离技术研制出多种系列无闭锁辐射加固的集成电路。这种电路的结构如图1所示。这种隔离技术由于隔离区占用较大面积,故其集成度要比SOS和SIMOX低一些,但作为抗辐射加固集成电路的隔离技术,它是非常可取的。
接下来，本书着重介绍了集成电路器件抗辐射加固设计的技术和方法。这部分内容从理论和实践两个角度对各种抗辐射加固技术进行了深入的探讨。其中，重点介绍了器件优化设计、版图设计、冗余设计等多种设计方法，以及相应的设计准则和优化策略。本书还对一些先进的抗辐射加固技术进行了介绍，如自适应阈值控制、故障预测与恢复...
第20卷第 2 期 1990年3月 《 微电 子学》 M i cr ∞ l ect ro n ic s 集成 电路抗辐射加固 郭树 田 V o 1. 20 . 2 M a r.19 90 技术的发展动态※ ( 四川 固体 电路 研宄所 ) 摘要随 着芯 片集成度的提 高, 器件加 固技 术的 难度越 来越 走,加 固技术 出现激烈 竞争。 本文...
2011年11月第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议中国三亚双极型模拟集成电路抗辐射加固技术李晓红,罗俊,邓永芳,胡波(中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060)摘要:介绍了辐射环境下影响双极型模拟集成电路可靠性的主要因素,揭示了双极型模拟集成电路抗辐射加固研究工作的重要性和紧迫性.通过对设计、工艺、原...
当前,在集成电路芯片制造中,体硅CMOS半导体工艺技术仍占据主导地位,因此,对CMOS集成电路进行加固研究就显得十分必要.由于抗辐照加固技术属于军用技术范畴。它具有高度的保密性,因此抗辐照加固工艺必须依靠自己的力量,从基础工艺出发进行研究。 用在空间中的电路会受到各种射线的影响,要产生电离辐照效应和单粒子效应等。本文...