2)薄膜沉积设备大致可以分为CVD化学气相沉积设备,PVD物理气相沉积设备和外延设备三大类。CVD占据了接近一半的市场份额,CVD中又可以细分为APCVD,LPCVD,PECVD,ALD,SACVD,MOCVD等。等离子体CVD(PECVD)和原子层沉积ALD是应用比较广泛的沉积设备,多用于90nm以下各种逻辑芯片,存储芯片的生产。 $中微公司(SH688012)$$北方华创...
薄膜沉积技术可以分为化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)。对于CVD工艺,这包括原子层沉积(ALD)和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。PVD沉积技术包括溅射,电子束和热蒸发。CVD工艺包括使用等离子体将源材料与一种或多种挥发性前驱物混合以化学相互作用并使源材料分解。该工艺使用较高压力的热量,从而产生了更可再现...