深紫外光源的波长范围为240-400纳米,而极紫外光源的波长范围为13.5纳米左右。可以看出,两者的波长相差很大,这也是它们在光刻技术中应用的主要区别之一。 二、光源类型 深紫外光源通常使用氙灯、汞灯等光源,而极紫外光源则采用激光等光源。因为极紫外光源的波长非常短,所以需要使用高能...
深紫外光刻机是一种用于芯片制造的装备,它使用波长为248nm的光以相应的掩模形状将图案刻在硅片上。极紫外光(EUV)是一种新型的光刻技术,其波长为13.5nm,可用于高分辨率半导体芯片的制造。 二、深紫外光刻机和极紫外光的应用领域 深紫外光刻机广泛应用于现代半导体制造过程...
光源波长不同、曝光分辨率不同。1、深紫外光刻机使用的是准分子激光，氟化氢激光，其波长范围在200-300纳米之间。而极紫外光刻机则使用的是极紫外光源，其波长范围在10-121纳米之间。2、深紫外光刻机和极紫外光刻机的曝光分辨率也有所不同。由于极紫外光的波长更短，因此其曝光分辨率更高，可以制造...
深紫外光刻技术与极紫外光刻技术,作为半导体制造中的两大关键光刻手段,存在显著区别。首先,在波长方面,深紫外光刻技术采用248nm的波长,而极紫外光刻技术则运用更短的13.5nm波长,这使得极紫外技术在分辨率上占据明显优势,更适宜制造超微细电路。其次,从成本角度考虑,极紫外光刻技术作为新兴技术,其设备与投资成本均高于深...
紫外光刻胶适用于g线（436 nm）与i线（365 nm）光刻技术。紫外光刻胶分为紫外负性光刻胶和紫外正性光刻胶。正性光刻胶与一般负性光刻胶不同，主要是邻重氮醌化合物。紫外正性光刻胶在曝光过程中，邻重氮醌化合物吸收能量引起光化学分解作用，经过较为复杂的反应过程，转变为可溶于显影液的物质，而未经...
1、STAR TECH INSTRUMENTS 紫外光源激光深紫外极紫外Star Tech Instruments is the world leader in X-ray, EUV, DUV and UV light and beam analysis. We specialize in offering unique solutions and reliable measurements from 1 - 410 nm with vacuum capabilities to 10 -10 torr. and NIST traceability ...
极紫外光比深紫外光强..顶
目前比较常见的深紫外激光器的波长是在193纳米,但是使用了KBBF晶体的激光器波长在150纳米左右。而这类晶体用途最让人熟知的就是光刻机了。光刻机是现代工业的顶峰之一,采用的激光波长越短,那么精度也会越高。 极紫外光能够电离几乎所有的组成普通物质的原子和分子的特性使得它无法在普通物质(包括空气)中传播,只能...
深紫外线和极紫外线是生产芯片时常用在硅晶片上雕刻的光,深紫外线的波长为193nm,极紫外线的波长为13.5nm。下列说法正确的是( )A. 极紫外线的频率小于深紫外线的
STAR TECH INSTRUMENTS 紫外光源激光深紫外极紫外 Star Tech Instruments is the world leader in X-ray, EUV, DUV and UV light and beam Analysis. We specialize in offering unique solutions and reliable measurements from 1 - 410 nm with vacuum capabilities to 10 -10 torr. and NIST traceability from...