雷哥聊工业搜索 客户端 游戏 无障碍 快捷访问 登录 00:00 / 00:00 倍速 当前设备不支持播放 你可以 刷新 试试 70017001.199-4cf31a6ff7fd726b23d468faaeba0118 哈工大新型极紫外线光源,EUV光刻机的核心部件 2025-01-07 17:00 发布于北京|4万 观看 395 17 60 132 手机看...
EUV光源取得突破 EUV光刻(极紫外光刻)和DUV光刻(深紫外光刻)主要有以下区别: 光源波长 - EUV光刻的光源波长极短,为13.5nm左右,能够实现更高的分辨率。 - DUV光刻的光源波长较长,一般在193 - 248nm之...
2024年12月30日,哈工大官方账号新闻网发布信息,哈工大成功研发出13.5纳米波长EUV极紫外光源,中国EUV极紫外光光刻机取得重大突破, 视频播放量 228946、弹幕量 278、点赞数 5659、投硬币枚数 316、收藏人数 849、转发人数 491, 视频作者 王庆伟的VLOG, 作者简介 ,相关视频
中国EUV光刻机大突破!哈工大成功研发13.5奈米极紫外光源!, 视频播放量 17106、弹幕量 4、点赞数 231、投硬币枚数 8、收藏人数 54、转发人数 31, 视频作者 岛内每日精选, 作者简介 关注账号,了解每日岛内生态精选!,相关视频:国产光刻机新突破!哈工大成功研制出7纳米EU
哈工大新型极紫外线光源,EUV光刻机的核心部件 #哈工大 #EUV光刻机 #芯片 #科技启示录 - 雷哥聊工业于20250107发布在抖音,已经收获了1385.9万个喜欢,来抖音,记录美好生活!
芯片制作工艺非常复杂,光刻机是制作芯片的关键设备,其曝光系统最核心的部件之一是紫外光源.常见光源分为:可见光:436nm;紫外光(UV):365nm;深紫外光(DUV):KrF准分子激光:248 nm, ArF准分子激光:193 nm;极紫外光(EUV):10 ~ 15 nm.下列说法正确的是( )...
国产EUV重大突破-13.5纳米极紫外光源 #华为 #哈工大 #euv #极紫外光源 #哈工大究竟有多硬核 - 阳哥知道于20250106发布在抖音,已经收获了164.4万个喜欢,来抖音,记录美好生活!
国产EUV重大突破-13.5纳米极紫外光源,本视频由国际科技洞察提供,0次播放,好看视频是由百度团队打造的集内涵和颜值于一身的专业短视频聚合平台
在介绍放电等离子体极紫外光刻光源项目中,指出该技术能够产生中心波长为13.5纳米的极紫外光,有效满足极紫外光刻领域对光源的紧迫需求。 该技术的应用对于促进我国极紫外光刻技术的发展和解决高端制造业的关键难题起到了积极作用。 项目介绍显示,该技术对于推动我国EUV光刻机的技术发展具有深远影响,有效缓解了EUV光刻机制造...
常见光源分为:紫外光（UV），g线：436nm;i线：365nm深紫外光（DUV）,KrF 准分子激光：248 nm, ArF 准分子激光：193 nm极紫外光（EUV），10 ~ 15 nm对光源系统的要求a.有适当的波长。波长越短，可曝光的特征尺寸就越小；[波长越短，就表示光刻的刀锋越锋利，刻蚀对于精度控制要求越高，因为...