定向碳纳米管（A-CNT）薄膜有望成为构建性能优于传统晶体管的场效应晶体管（FET）的理想通道材料，并且发展了多种方法来制备具有高半导体纯度、良好定向和高密度的A-CNT薄膜。然而，报道的基于A-CNT 的 FET 几乎都是耗尽型 FET，并且亚阈值摆幅 (SS) 很差。本文，北京大学彭练矛教授课题组在《ADVANCED FUNCTIONAL...
本发明涉及一种纳米电子器件的碳纳米管薄膜场效应晶体管的制备方法,步骤为:在表面含有绝缘层的硅片上采用光刻技术制作出源漏电极图案,将碳纳米管通过交变电场双向电泳的方法沉积在源漏电极之间形成碳纳米管薄膜,然后用等离子体刻蚀的方法选择性去除沉积的碳纳米管中的金属性碳纳米管,得到具有良好性能的碳纳米管薄膜场...
碳纳米管薄膜场效应晶体管的初步研究 维普资讯 http://www.cqvip.com
本发明提供了柔性碳纳米管薄膜场效应晶体管及其制备方法,包括:位于柔性衬底上的下层碳纳米管薄膜晶体管;覆盖于下层碳纳米管薄膜晶体管表面的下层柔性绝缘层;位于下层柔性绝缘层上的上层碳纳米管薄膜晶体管;覆盖于上层碳纳米管薄膜晶体管表面的上层柔性绝缘层;位于上层柔性绝缘层表面的若干顶层金属块;位于下层碳纳米管...