美国在20世纪末制订的“国防与科学计划”中就提出了关于宽禁带半导体的发展目标。到2014年,美国联邦和地方政府提出全力支持以SiC半导体为代表的第3代宽禁带半导体,将拨款1.4亿美元用于提升美国在该新兴产业方面的国际竞争力。近几年日本也有许多的动作,成立了新能源及工业技术发展组织,该组织发布了一系列基于SiC材料与...
例如,传统锡银铜焊接的 CTE 约为 30×10 -6 /℃,剪切力为 20~30 MPa,导热系数为 30~58 W/ (cm·℃)[2,29],因而在连接工艺方面出现了固液相互扩散和瞬时液相烧结 / 焊接等工艺,与之配合研发了特制的焊料,新型焊接工艺的主要连接指标均有一定的改善 [30-32] 。此外,大量研究表明,在一定压力下进行的铜...
X方向驱动器 120mm 产地 苏州 圆弧 ±(1.3+R/12)μm 线性精度 ≤±5% 品牌 名卓仪器 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成...
1. 一种碳化硅半导体装置,其特征在于,具有: 半导体元件,形成在碳化硅半导体层上;以及作为杂质注入区域的终端区域,形成在所述半导体元件的终端部并且包括JTE区域以及FLR的至少一方,在所述终端区域的深度方向的杂质浓度分布中,最浅的位置的浓度峰值位于比表面深 0. 35 μ m的位置。 2.如权利要求1所述的碳化硅半导体...