碳化硅和氮化镓的应用前景广阔,它们正在被越来越多地应用于电动汽车、太阳能逆变器、电源管理以及无线通信基站等领域,以提高能效和性能。 随着技术的进步和生产成本的降低,预计碳化硅和氮化镓将在未来的半导体市场中占据更加重要的地位,推动电力电子技术的持续创新和发展,被广泛认为是引领未来电力电子领域的“下一代功率半导...
因此氮化镓晶体管的开关损耗低于碳化硅MOSFET，在高工作频率下的优势会更明显。
那么碳化硅和氮化镓是个啥？碳化硅是指的碳化硅功率器件，碳化硅功率器件是一种高性能、高可靠性、高功率密度的半导体功率器件。它们是由基于碳化硅半导体材料的pn结、MOSFET或BJT（晶体管）等组成的，可用于各种电力和电子应用。与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有更低的导通和关断损失，更高的工作温度和抗辐射性...
在半导体材料领域，第一代半导体是“硅”（Si），第二代半导体是“砷化镓”（GaAs），第三代半导体（又称“宽禁带半导体”，WBG）是“碳化物”。硅(SiC)和氮化镓(GaN)。宽禁带半导体中的“能隙”，用最通俗的话来说，代表“一个能隙”，意思是“使半导体从绝缘变为导电所需的最小能量”。第一代和第二代半...
作为第三代功率半导体的绝代双骄，氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET日益引起工业界，特别是电气工程师的重视。之所以电气工程师如此重视这两种功率半导体，是因为其材料与传统的硅材料相比有诸多的优点，如下图所示。氮化镓和碳化硅材料更大的禁带宽度，更高的临界场强使得基于这两种材料制作的功率半导体具有高耐压，低导通电阻，...
氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)在带隙和击穿场方面相对相似。氮化镓的带隙为3.2 eV,而碳化硅的带隙为3.4 eV。虽然这些值看起来相似,但它们明显高于硅的带隙。硅的带隙仅为1.1 eV,比氮化镓和碳化硅小三倍。这些化合物的较高带隙允许氮化镓和碳化硅舒适地支持更高电压的电路,但它们不能像硅那样支持低压电路。
而在今年4月，韩国釜山市政府宣布投资400亿韩元（约2.1亿人民币），在东南放射科学产业园区增建采用碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料的8英寸化合物功率半导体生产设施，该项目已获国家及市级基金资助。“国家队”出手，在壮大本国第三代半导体产业实力的同时，有望带动更多本国厂商加入投建第三代半导体产业的大军。...
碳化硅作为一种高压功率半导体,在几乎所有可以想象到的方面都更胜一筹。无论是从效率、机械尺寸还是电气适用性来看,氮化镓与碳化硅不相上下,但在电压宽度方面,氮化镓才刚刚起步。“这正是我们在电源集成方面一直努力的方向。”Bailey如是说。 成本是半导体开关最重要的考...
2.2 氮化镓的基本性质 氮化镓(GaN)是一种具有六角晶系结构的化合物半导体材料,具有多种晶体形态,如AlGaN、InGaN等。氮化镓具有以下基本性质: (1)高热导率:氮化镓的热导率约为1.3 W/(m·K),虽然低于碳化硅,但仍高于硅。 (2)高电子迁移率:氮化镓的电子迁移率可达1400 cm²/V·s,高于碳化硅。
机械革命280W碳化硅电源适配器为经典样式设计，机身与电源线线体分离设计方便用户到不同地区后换对应规格线缆使用，自带DC线缆弯头设计方便狭小角落使用，同时配双屏蔽磁环保证更好输出。电源支持100-240V宽电压输入，并通过了CCC认证以及VI级能效认证。充电头网通过拆解了解到，作为一款大功率笔记本电源，内部PCBA模块采用...