目前,碳化硅外延的主流技术包括斜切台阶流技术和TCS技术等等。 所谓斜切台阶流技术即切割碳化硅衬底时切出一个8°左右的偏角。这样切出的衬底表面出产生很高的台阶流密度,从而容易实现晶圆级碳化硅外延。目前,斜切台阶流技术已经比较成熟。但是该技术也有两个缺陷:一是该技术无法阻断基平面位错;二是该技术会对衬底材料造...