这种位错类型是在晶体生长过程中,由于温度降低,硅原子在生长界面上不能按一定规律排列,导致晶体内部出现线状的位错。这种位错类型会影响碳化硅衬底的物理和电学性质。BPD(Basal Plane Dislocation)也是碳化硅衬底中的一种位错类型,它是绕着碳化硅晶体的基平面(0001)方向滑移产生的。这种位错类型在碳化硅晶体生长过程中产生,...