从物理特性上看，碳化硅具有高临界击穿电场、高热导率、高介电常数等优点。与传统的硅基半导体材料相比，碳化硅在高温、高压和高频等极端环境下具有更好的稳定性和可靠性。这些独特的物理特性使得碳化硅在功率电子设备和射频电子设备等领域具有广阔的应用前景。碳化硅在应用领域的拓展也是其备受关注的重要原因。在新能源汽...
碳化硅，也称为 SiC，是一种半导体基础材料，由纯硅和纯碳组成。可以在 SiC 中掺入氮或磷来形成 n 型半导体，或者掺入铍、硼、铝或镓来形成 p 型半导体。尽管存在许多种类和纯度的碳化硅，但半导体级质量的碳化硅仅在最近几十年才出现。碳化硅（SiC）是怎么制成的？最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度...
一、什么是碳化硅(SiC)?碳化硅属于第三代半导体材料,与普通的硅材料相比,碳化硅的优势非常突出,它不仅克服了普通硅材料的某些缺点,在功耗上也有非常好的表现,因而成为电力电子领域目前最具前景的半导体材…
碳化硅时代来了。第三代半导体终迎爆发 碳化硅作为第三代半导体，其实并不是新鲜概念。碳化硅作为材料已有百年历史，商业化也已超过30多年。1824年，瑞典科学家在人工合成金刚石的实验中意外发现了碳化硅这一物质，其硬度比钻石小但光彩更亮；1955年，LELY提出生长高品质碳化硅的方法，从此将碳化硅作为重要的电子材料；...
碳化硅(SiC),顾名思义,是由碳元素和硅元素组成的一种半导体材料。通常,市场上大多见到的半导体芯片等基本都以硅为主要原材料。而碳化硅(SiC)能用来做半导体材料,主要是其具有耐高温、耐高频、耐高压的特性。 前段时间,某汽车技术发布会隆重召开,负责人在台上重点讲解了技术优势,其...
一、碳化硅简介与特性 碳化硅（SiC）是一种由碳和硅元素稳定结合而成的晶体材料。其独特的结构特性使其具有诸多优异的物理和化学性质，如高温稳定性、高硬度、耐腐蚀性等。这些特性使得碳化硅在许多领域具有重要的应用价值，尤其是在能源、电子、半导体、陶瓷和涂层等领域。与其他材料相比，如氮化硅（SiN）和氧化硅（...
第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)具备高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等物理特性,因此其天然适合对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件要求较高的应用,被视为电力电子领域的颠覆性技术。 4月29日,TrendForce集邦咨询化合物半导体分析师龚瑞骄在“2022集邦咨询化合物半导体线上交流会”… ...
什么是碳化硅? 碳化硅(Silicon Carbide,SiC)是一种由硅和碳组成的化合物,具有优异的物理和化学特性。 1)高硬度和高耐磨性:碳化硅是已知的最硬的材料之一,硬度仅次于钻石,具有极高的耐磨性。 2)高温稳定性:碳化硅能在高温下保持其结构和强度,熔点超过2700°C,使其适合高温应...
碳化硅（SiC）的性能和应用 碳化硅(SiC)又称金刚砂，天然的很少，工业上用的都为人工合成原料。它有两种晶型：低温形态的β-SiC，属于立方结构，高温形态的α-SiC，属于六方结构。其真密度为3.21g/cm3，分解(升华)温度为2600℃。它是一种硬质材料，其莫氏硬度为9.2。SiC的热膨胀系数不大，在25℃~1400℃范围...