碳化硅N型衬底和P型衬底的主要区别在于它们的掺杂类型和主要载流子不同。N型碳化硅是通过掺入氮或其他元素,增加自由电子数量而形成的,电子是主要的载流子,有较高的电子迁移率和较低的电阻,比较适合用于功率电子器件和高频电子器件。而P型碳化硅则是通过掺入铝或硼等元素,形成缺电子空位,正空穴是主要的载流子,有较高...