SiC MOSFET的功率循环试验是使器件重复承受通电升温和关断降温循环,以加速器件芯片与安装表面之间所有的键合和界面退化。器件能否能承受规定应力条件下的功率循环次数是评估器件实际应用可靠性的重要手段。由于SiO2与SiC界面缺陷的俘获和释放机制,传统的Si MOSFET的功率循环试验方法会由于SiC MOSFET器件的阈值电压V_GS(th)...
本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方 法,适用于SiC MOSFET分立器件的结壳热阻测试。本方法设置SiC MOSFET器件栅极和源极负压偏 置条件下,选用源极和漏极电压Vsd 作为结壳热阻测试的温敏参数。。 2 规范性引用文件 ...
不同栅结构SiC MOSFET器件功率循环可靠性及失效机理研究 碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是目前电力电子系统中硅器件的极具吸引力的替代品.但是高温,高压的应用使器件可靠性面临严峻挑战,功率循环试验(Po... 王梅 - 《华南理工大学》 被引量: 0发表: 2023年 加载更多站...
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点,广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展,越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等,迫切需要能够在髙温、高频等极端环境下工作的电子器件。SiC MOSFET的功率...
国际电工委员会 当前最新 IEC 63275-2:2022 购买 正式版 T/CASAS 015-2022碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法T/CASAS 002-2021 宽禁带半导体术语T/IAWBS 004-2021 电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法T/CASAS 016-2022碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET...
Metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors for power switching applications的内容,并结合了近几年科研人员在SiC MOSFET功率器件的研发、测试评估以及应用方面的经验总结,对SiC MOSFET的动静态参数、可靠性考核测试方法等进行了详细的规定,但局限于当前科研人员对SiC MOSFET器件的认知,以及该产品生产与应用所处的...
Metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors for power switching applications的内容,并结合了近几年科研人员在SiC MOSFET功率器件的研发、测试评估以及应用方面的经验总结,对SiC MOSFET的动静态参数、可靠性考核测试方法等进行了详细的规定,但局限于当前科研人员对SiC MOSFET器件的认知,以及该产品生产与应用所处的...