衬底市场规模增长得挺快的，其中导电型衬底占大头。碳化硅衬底有导电型和半绝缘性这两种，它们主要的差别就是电阻率不一样，导电型衬底的电阻率在15 - 30Ω·cm这个范围，半绝缘型衬底的电阻率超过105Ω·cm。Yole的数据显示，全球的半绝缘型碳化硅衬底市场规模在2019年是1.52亿美元，到2021年就涨到2.10亿美元...
根据 Wolfspeed 预测，8 英寸 衬底于 2024 年全面达产，单位面积制造成本相比 2022 年 6 英寸衬底降幅超过 60%。根据 PGC Consultancy 的成本预测模型，2023-2024 年碳化 硅 8 英寸衬底开始具备经济型；到 2030 年，使用 8 英寸衬底制作的 1200V/100A MOSFET 器件的成本相比 2022 年使用 6 英寸制作的同规格 ...
衬底市场规模增长较快,导电型衬底占多数。碳化硅衬底主要分为导电 型衬底和半绝缘性衬底,主要区别在于电阻率不同,导电型衬底电阻率区间为 15~30Ω·cm,半绝缘型衬底电阻率高于 105Ω·cm。根据 Yole 数据,半绝缘型碳化硅衬底全球市场规模由 2019 年的 1.52 亿美元增长至 2021 年的 2.10 亿美元,导电型碳化硅衬底...
衬底市场规模增长较快,导电型衬底占多数。碳化硅衬底主要分为导电 型衬底和半绝缘性衬底,主要区别在于电阻率不同,导电型衬底电阻率区间为 15~30Ω·cm,半绝缘型衬底电阻率高于 105Ω·cm。根据 Yole 数据,半绝缘型碳化硅衬底全球市场规模由 2019 年的 1.52 亿美元增长至 2021 年的 2.10 亿美元,导电型碳化硅衬底...
1. 碳化硅高性能+低损耗,产业化受制于衬底产能 1.1. 半导体材料更迭四代,宽禁带材料突破瓶颈 在高性能和耗半导体器件驱动下,半导体材料经历四次更迭。半导 体材料是制造半导体器件和集成电路的电子材料,是电子信息技术发展 的基础。伴随下游应用日趋复杂化和精细化,高性能及低损耗的半导体 器件需求成为半导体研究的重要...