碳化硅衬底分为导电型和半绝缘型衬底。在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层， 可制成二极管、MOSFET 等功率器件，主要应用于新能源汽车、光伏发电等领域；在半绝 缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，可制成 HEMT 等微波射频器件，主要应用于 5G 通 讯、卫星等领域。2.1 衬底：晶体生长是核心难点，PVT 为主流方法...
在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层, 可制成二极管、MOSFET 等功率器件,主要应用于新能源汽车、光伏发电等领域;在半绝 缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层,可制成 HEMT 等微波射频器件,主要应用于 5G 通讯、卫星等领域。 2.1 衬底:晶体生长是核心难点,PVT 为主流方法 碳化硅衬底经多个工序,PVT 为碳化硅晶体生长的...
在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层, 可制成二极管、MOSFET 等功率器件,主要应用于新能源汽车、光伏发电等领域;在半绝 缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层,可制成 HEMT 等微波射频器件,主要应用于 5G 通讯、卫星等领域。 2.1 衬底:晶体生长是核心难点,PVT 为主流方法 碳化硅衬底经多个工序,PVT 为碳化硅晶体生长的...
在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层, 可制成二极管、MOSFET 等功率器件,主要应用于新能源汽车、光伏发电等领域;在半绝 缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层,可制成 HEMT 等微波射频器件,主要应用于 5G 通讯、卫星等领域。 2.1 衬底:晶体生长是核心难点,PVT 为主流方法 碳化硅衬底经多个工序,PVT 为碳化硅晶体生长的...
碳化硅衬底的市场规模有望快速增长。根据中商产业研究院数据,2022 年全球导电型 碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底市场规模分别为 5.12 和 2.42 亿美元,预计到 2023 年市 场规模将分别达到6.84 和2.81 亿美元。2022-2025年,导电型碳化硅衬底CAGR 达34%。 根据中商产业研究院数据,海外厂商垄断碳化硅衬底市场。2020 年...
衬底市场竞争格局集中,海内外厂商发展模式差异大。国外企业多以 IDM 模式布局全 产业链,如 Wolfspeed、罗姆及意法半导体等,而国内企业倾向专注于单个环节制造,如 衬底领域的天科合达、天岳先进,外延领域的瀚天天成、东莞天域半导体。 3.1 碳化硅衬底市场规模快速增长,导电型 CR3 约 89% ...
衬底市场竞争格局集中,海内外厂商发展模式差异大。国外企业多以 IDM 模式布局全 产业链,如 Wolfspeed、罗姆及意法半导体等,而国内企业倾向专注于单个环节制造,如 衬底领域的天科合达、天岳先进,外延领域的瀚天天成、东莞天域半导体。 3.1 碳化硅衬底市场规模快速增长,导电型 CR3 约 89% ...