2012 年, 包含碳化硅 SBD 的混合碳化硅功率模块在东京地铁银座线 37 列车辆中商业化应用,实现 了列车牵引系统节能效果的明显提升、电动机能量损耗的大幅下降和冷却单元的小型化; 2014 年,日本小田急电铁新型通勤车辆配备了三菱电机 3300V/1500A 全碳化硅功率模块 逆变器,开关损耗降低 55%、体积和重量减少 65%,电能...
碳化硅半导体器件生产工序主要包括碳化硅高纯粉料、单晶衬底、外延片、功率器件、 模块封装和终端应用等环节。碳化硅高纯粉料是采用 PVT 法生长碳化硅单晶的原料,其 产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量以及电学性能。单晶衬底是半导体的支撑材料、 导电材料和外延生长基片。外延是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的...
碳化硅半导体器件生产工序主要包括碳化硅高纯粉料、单晶衬底、外延片、功率器件、 模块封装和终端应用等环节。碳化硅高纯粉料是采用 PVT 法生长碳化硅单晶的原料,其 产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量以及电学性能。单晶衬底是半导体的支撑材料、 导电材料和外延生长基片。外延是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的...
碳化硅半导体器件生产工序主要包括碳化硅高纯粉料、单晶衬底、外延片、功率器件、 模块封装和终端应用等环节。碳化硅高纯粉料是采用 PVT 法生长碳化硅单晶的原料,其 产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量以及电学性能。单晶衬底是半导体的支撑材料、 导电材料和外延生长基片。外延是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的...
SiC 产业链全景:衬底技术密集,外延承上启下 碳化硅半导体器件生产工序主要包括碳化硅高纯粉料、单晶衬底、外延片、功率器件、 模块封装和终端应用等环节。碳化硅高纯粉料是采用 PVT 法生长碳化硅单晶的原料,其 产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量以及电学性能。单晶衬底是半导体的支撑材料、 导电材料和外延生长基片。外延...
SiC 产业链全景:衬底技术密集,外延承上启下 碳化硅半导体器件生产工序主要包括碳化硅高纯粉料、单晶衬底、外延片、功率器件、 模块封装和终端应用等环节。碳化硅高纯粉料是采用 PVT 法生长碳化硅单晶的原料,其 产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量以及电学性能。单晶衬底是半导体的支撑材料、 导电材料和外延生长基片。外延...
SiC 产业链全景:衬底技术密集,外延承上启下 碳化硅半导体器件生产工序主要包括碳化硅高纯粉料、单晶衬底、外延片、功率器件、 模块封装和终端应用等环节。碳化硅高纯粉料是采用 PVT 法生长碳化硅单晶的原料,其 产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量以及电学性能。单晶衬底是半导体的支撑材料、 导电材料和外延生长基片。外延...