Shin 等研究了不同粒径以及不同杂质含量的 SiC 粉体对 SiC单晶生长的影响,发现单晶中大部分的杂质均来自 SiC 粉体,单晶的质量与粉体的纯度呈线性关系。 由于SiC 粉体在单晶生长过程中发挥着重要作用,近年来,制备高纯的 SiC 粉体逐渐成为 SiC 单晶生长领域的研究热点。目前可以大批量生产高纯 SiC 粉体的公司有...
高纯SiC粉料合成方法 目前,用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有:CVD法和改进的自蔓延合成法(又称为高温合成法或燃烧法)。其中CVD法合成SiC粉体的Si源一般包括硅烷和四氯化硅等,C源一般选用四氯化碳、甲烷、乙烯、乙炔和丙烷等,而二甲基二氯硅烷和四甲基硅烷等可以同时提供Si源和C源。 以往的自蔓延合成法是...
另外,SiC粉料颗粒尺寸较小,粉料分解速率较快,会导致SiC单晶生长速度过快。在SiC单晶生长的高温环境中合成与分解两个过程同时进行,碳化硅粉料会发生分解形成Si、Si2C、SiC2等气相及固相的碳,导致多晶粉料的碳化比较严重,形成晶体的碳包裹物;而当粉料分解速率过快时,生长的SiC单晶晶型结构容易发生变化,使得生长的Si...
所谓PVT法，是指将SiC籽晶放置在坩埚顶部，将SiC粉料作为原料放置在坩埚底部，在高温低压的密闭环境下，SiC粉料升华，并在温度梯度和浓度差的作用下向上传输至籽晶附近，达到过饱和状态后再结晶的一种方法。该方法可以实现SiC晶体尺寸和特定晶型的可控生长。然而，使用PVT法生长SiC晶体需要在长时间的生长过程中，始终...
目前,用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有:CVD法和改进的自蔓延合成法(又称为高温合成法或燃烧法)。其中CVD法合成SiC粉体的Si源一般包括硅烷和四氯化硅等,C源一般选用四氯化碳、甲烷、乙烯、乙炔和丙烷等,而二甲基二氯硅烷和四甲基...
sic碳化硅单晶的生长原理 碳化硅单晶的生长原理可以简单地描述如下: 1.利用高纯度的碳化硅原料,通常采用SiC原料坩埚进行加热融化处理。 2.在加热过程中,通过控制温度梯度和化学气相传输,使得融化的碳化硅原料中存在过饱和度。 3.过饱和度使得碳化硅原料在合适的条件下开始形成凝固核心。这些凝固核心作为生长种子,可以是...
本文将介绍碳化硅单晶的生长原理。 碳化硅单晶的生长方法有多种,包括半导体硅碳在高温下热解生长、低压化学气相沉积(LPCVD)、物理气相沉积(PVD)等。其中,半导体硅碳热解生长法是最常用的一种方法。 在半导体硅碳热解生长法中,首先需要将硅源和碳源混合,在高温下热解生成SiC原料。硅源一般使用单质硅(Si),碳源可以选择...
SIC碳化硅单晶的生长方法主要有两种:物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)。 物理气相沉积(PVD) 物理气相沉积是通过在真空环境中加热SIC源材料,使其蒸发并沉积在衬底上。这种方法的优点是生长速度快、晶体质量高,但需要高真空设备。 化学气相沉积(CVD)
一、SiC单晶生长 SiC单晶生长是一种特殊的生产方法,是通过在高温条件下,导入Si和C化学原料,形成SiC气相,然后在衬底上沉积SiC单晶。通常采用的方法有Lely法、Boule法和PVT法。 Lely法是最早的SiC单晶生长法。该方法将SiO2和石墨粉末混合,然后...
碳化硅单晶衬底材料(Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials,以下简称SiC衬底)也是晶体材料的一种,属于宽禁带半导体材料,具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势,是制备大功率电力电子器件以及微波射频器件的基础性材料。 SiC的晶体结构 SiC单晶是由Si和C两种元素按照1:1化学计量比组成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体...