此外，碳化硅在射频通信、卫星导航和雷达探测等领域也有着广泛的应用，为现代通信技术和国防建设提供了有力支持。从未来发展趋势来看，碳化硅半导体材料的市场前景十分广阔。随着全球范围内对新能源、节能和环保的重视程度不断提高，碳化硅的需求量将持续增长。据预测，到2025年，碳化硅市场规模将达到100亿美元，成为推动全...
碳化硅衬底可分为半绝缘型与导电性两种,其中,半绝缘型碳化硅衬底是具有高电阻率(电阻率≥105Ω·cm),半绝缘型衬底加之异质氮化镓外延片可以作为射频器件的材料,主要应用与上述所述场景的5G通讯、国防军工等领域;另一类是低电阻率(电阻率区间为 15~30mΩ·cm)的导电型碳化硅衬底,导电性碳化硅衬底配之碳化硅的同质外...
碳化硅(SiC)是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料,是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。相比传统的硅材料(Si),碳化硅的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍,满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求,主要被用于制作高速、...
二、碳化硅器件的优势特性 碳化硅(SiC)是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料,世界各国对SiC的研究非常重视,纷纷投入大量的人力物力积极发展,美国、欧洲、日本等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划,而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。
经过第一代硅基半导体、第二代的砷化镓半导体,半导体材料发展已经来到了属于碳化硅、氮化镓的第三代。碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能,能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有...
碳化硅是第三代半导体材料的优秀代表，在新能源汽车、光伏和电网等领域广泛应用。碳化硅能够突破传统硅基材料的物理限制，其核心优势在于其低能量损耗和高效率。据TrendForce数据显示，2023年碳化硅功率元件市场规模达到22.8亿美元，同比增长41.4%。预计到2026年，市场规模有望增长至53.3亿美元。碳化硅产业链 碳化硅产业...
第三代半导体材料是继以硅（Si）和砷化镓（GaAs）为代表的第一代和第二代半导体材料之后，迅速发展起来的宽禁带半导体材料。具体是指带隙宽度达到2.0-6.0eV的宽禁带半导体材料，包括了碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。从现阶段发展来看，氮化镓（GaN）材料主要应用在射频及快充领域，更适合1000V以下电压等级，高开关...
第三代半导体材料是指具有宽带隙(Eg≥2.3eV)的材料,代表包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石和氮化铝(AlN)。这些材料在半导体照明、电力电子、激光器和探测器等领域有着广泛的应用,每个领域都有不同的产业成熟度。第三代半导体材料以其宽带隙特性,在高温、高频、高效率和高功率电子器件中展现出巨...
大尺寸半导体碳化硅( SiC)材料主要指直径为 6 英寸甚至更大的碳化硅单晶衬底。利用它们,可以获得高质量的外延薄膜,进而制造高性能的功率芯片。在“双碳”目标的牵引下,半导体碳化硅材料与芯片的大规模化应用正在到来。作为一种四族化合物半导体材料,碳化...