本文主要阐述了碳化硅宽禁带半导体材料的结构性质及重要应用,并分析了制备碳化硅材料的主流方法,最后讨论了我国碳化硅材料和器件的发展现状及其存在的机遇与挑战。 关键词:SiC 第三代半导体 引言 SiC作为第三代半导体材料,它的禁带宽度高达3.25eV,不仅击穿电场强度高,而且电子饱和速率和热导率都很高,这些优越性质使SiC...
中材人工晶体研究院碳化硅半导体材料研发情况 一、 走进中材人工晶体研究院的实验室,设备运转的嗡鸣声中,一簇碳晶须正以每小时3毫米的速度生长。每位研发人员都清楚,这个速度提升0.1毫米都足以改写全球半导体产业的格局。在欧冠杯制造2025的蓝图上,碳化硅材料的攻关突破早已不是单一技术竞争,而是决定下一代工业革命话语...
随着硅基功率器件的性能逼近极限,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,以其独特优势可满足空间电源系统高能效、小型化、轻量化需求,对新一代航天技术发展具有重要战略意义。 2024年11月15日,中国科学院微电子研究所刘新宇、汤益丹团队和中国科学院空间应用工程与技术中心刘彦民团队共同研制的碳化硅(SiC)载荷系统,搭...
国家第三代半导体技术创新中心(南京)在碳化硅MOSFET芯片制造领域取得的技术突破,确实是我国半导体产业发展的一个重要里程碑。通过四年的专注研发,该中心不仅成功掌握了沟槽型碳化硅MOSFET芯片的制造关键技术,而且显著提升了芯片的导通性能,预计性能提升约30%。这一成果不仅打破了传统平面型碳化硅MOSFET芯片的性能限制,还有助...
近日,国家知识产权局公布了一项由中环领先半导体科技股份有限公司申请的专利,名为‘一种碳化硅片及清洗方法’,公开号为CN119387212A,申请日期为2024年11月。这一专利的申请标志着中环领先在半导体材料领域的技术创新又迈出了重要一步。 碳化硅片是半导体器件制造中的关键材料,其清洗工艺直接影响到器件的性能和可靠性。传...
当前,碳化硅产业迎来了关键发展节点,正式步入8英寸产能转换的重要阶段。碳化硅单晶材料的制备技术不断进步。应用领域的扩展进一步推动了高质量8英寸碳化硅单晶材料的需求增长。 2025年2月26-28日,”2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆融创施柏阁酒店举办。本次论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)与三...
深圳第三代半导体碳化硅材料生产基地启用总计投资32.7亿元人民币的第三代半导体碳化硅材料生产基地是中共广东省委和深圳市委重点关注的项目之一,同时也是深圳全球招商大会的重点签约项目。 2024-02-28 16:33:34 总投资32.7亿!第三代半导体碳化硅材料生产基地在宝安区启用 2月27日,第三代半导体碳化硅材料生产基地在宝安区...
超过40%,其中以碳化硅材料(SiC)为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计,2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元 slt123 2021-01-12 11:48:45 碳化硅半导体器件有哪些? 由于碳化硅具有不可比拟的优良性能,碳化硅是宽禁带半导体材料的一...
主要负责半导体材料碳化硅或者氮化硅开发工作,包括配方设计、制作工艺及性能表征研究。 职责要求: 1)材料专业,硕士及以上学历; 2)熟悉半导体材料的制备、绝缘包覆等;专业学习是半导体材料碳化硅或者氮化硅方向; 3)具备熟练的材料实验技能,包括独立查阅国内及国外文献能力,能独立选择最佳条件按时完成项目; ...
$芯联集成-U(SH688469)$ 在能源转型与科技创新的双重驱动下,碳化硅(SiC)材料正引领着电子&半导体领域的革命。随着电动汽车市场的井喷式增长,光伏产业的持续扩张以及储能技术的不断进步,碳化硅材料因其出色的高频、高温特性及高能效比,成为了制造市场宠儿。