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碳化硅(SiC)是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料,世界各国对SiC的研究非常重视,纷纷投入大量的人力物力积极发展,美国、欧洲、日本等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划,而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。 与普通硅相比,采用碳化硅的元器件有如下特性: 1、高压特性 碳化硅器件是同等硅器件耐压的...
按照电学性能的不同,碳化硅材料制成的器件分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅射频器件,两种类型碳化硅器件的终端应用领域不同。导电型碳化硅功率器件是通过在低电阻率的导电型衬底上生长碳化硅外延层后进一步加工制成,包括造肖特基二极管、MOSFET、IGBT等,主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、数据中心、...
碳化硅时代来了。第三代半导体终迎爆发 碳化硅作为第三代半导体，其实并不是新鲜概念。碳化硅作为材料已有百年历史，商业化也已超过30多年。1824年，瑞典科学家在人工合成金刚石的实验中意外发现了碳化硅这一物质，其硬度比钻石小但光彩更亮；1955年，LELY提出生长高品质碳化硅的方法，从此将碳化硅作为重要的电子材料；...
从未来发展趋势来看，碳化硅半导体材料的市场前景十分广阔。随着全球范围内对新能源、节能和环保的重视程度不断提高，碳化硅的需求量将持续增长。据预测，到2025年，碳化硅市场规模将达到100亿美元，成为推动全球半导体产业发展的新引擎。总之，碳化硅作为一种新型半导体材料，具有独特的物理特性、广泛的应用领域和广阔的发展...
碳化硅是第三代半导体材料的优秀代表，在新能源汽车、光伏和电网等领域广泛应用。碳化硅能够突破传统硅基材料的物理限制，其核心优势在于其低能量损耗和高效率。据TrendForce数据显示，2023年碳化硅功率元件市场规模达到22.8亿美元，同比增长41.4%。预计到2026年，市场规模有望增长至53.3亿美元。碳化硅产业链 碳化硅产业...
碳化硅(Silicon Carbide,简称SiC)作为一种先进的半导体材料,为半导体技术的突破性发展提供了巨大的潜力。从碳化硅的起源、结构性质、外延生长到晶圆制造、器件设计、封装与模块化,本文将全面探讨碳化硅技术在半导体领域的重要性、关键技术和应用前景。 碳化硅(Silicon Carbide,...
碳化硅(英语:silicon carbide),化学式SiC,俗称金刚砂,宝石名称钻髓,为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物,碳化硅在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在。 被誉为功率半导体皇冠上的明珠,因其优异的材料特性,可以满足功率电子技术对高温、高功率、高压、高频及抗辐射等恶劣工作条件的新要求,是半导体材料领域最有前景...
半导体碳化硅(SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物,即百分之五十的硅(Si)和百分之五十的碳(C),其基本结构单元为 Si-C 四面体。而碳化硅(SiC)晶体,就是由碳原子和硅原子有序排列而成。选择碳…