碳化硅的退火温度较高,通常高于1600度,会引起表面碳化硅分解,需要用碳掩膜或氮化铝掩膜保护表面。 (2)栅极氧化层的可靠性。碳化硅是唯一一种能通过热氧化生成二氧化硅的化合物半导体,这很有利于碳化硅器件的规模化生产、降低成本,但SiC/SiO2氧化层界面质量差也是阻碍碳化硅MOSFET进一步发展的一大障碍。 可以通过高温氧化、...
碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似,主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行产线升级便可满足碳化硅器件的制造需求。而碳化硅材料的特殊性质决定其器件制造中某些工艺需要依靠特定设备进行特殊开发,以促使碳化硅器件耐高压、大电流功能的实现。 ...
摘要 本发明涉及一种碳化硅半导体器件的掺杂制造工艺,其特征在于,包括以下步骤:对碳化硅晶圆工件需掺杂的位置进行注入离子,把SiC晶格内的原子打走,制造晶格空缺。注入剂量需少于非晶化阈值,<2x1015/cm2。在晶格没有形成非晶化结构层前,停止离子注入。然后,对衬底加温,注入掺杂离子,让注入掺杂的离子可马上填入晶格空缺,...
激光背金去除技术的引入为碳化硅晶圆片加工中的背金处理提供了更加高效、稳定和环保的解决方案。随着碳化硅材料在电力电子器件中的应用不断扩大,激光技术将在半导体加工工艺中发挥更加重要的作用。 激光隐形改质切割技术: 碳化硅晶圆片精密加工的高效手段 在碳化硅晶圆片完成背金去除后,紧接着进行的关键工序是激光隐形改...
一、第三代半导体长晶的原理 第三代半导体长晶是指采用碳化硅(SiC)作为半导体材料的长晶工艺。与传统的硅晶锭相比,SiC衬底的制造需要从头开始开发设备、工艺和处理方法。整个SiC产业链中,自行长晶是最大的瓶颈,因为SiC长晶效率比Si慢100至200倍。例...
碳化硅陶瓷在半导体制造中的散热部件上的应用具有显著优势。由于其高热导率,碳化硅陶瓷可用于制造散热片、散热基板等散热部件。这些散热部件在半导体器件中发挥着重要作用,如降低器件温度,提高器件的稳定性和可靠性。 2. 高温工艺 碳化硅陶瓷在半导体制造中的高温工艺上的应用具有显著优势。由于其高强度和高硬度,碳化硅陶...
碳化硅特色工艺模块简介 碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。由于这些优异的性能,碳化硅在电力电子、微波射频、光电子等领域具有广泛的应用前景。然而,由于碳化硅 2024-01-11 17:33:14 碳化硅MOSFET是如何制造的?如何驱动碳化硅场效应管? 充电器、...
半导体器件的制造流程包含数个截然不同的精密步骤。无论是前道工艺还是后道工艺,半导体制造设备的电源都非常重要。与基于硅的电源模块相比,使用碳化硅的电源具有更为出色的功率密度、可靠性和设计灵活性等优势,因此工程师们认为碳化硅在此前未曾运用过的应用中拥有一系列优势。
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》 文章:碳化硅技术优于传统硅技术 编号:JFKJ-21-1163 作者:华林科纳 碳化硅被广泛应用于信息技术和电信、航空航天、国防、能源、电力和汽车应用等行业 阳离子,以及这种材料在各种工业部门的应用促进了全球碳化硅市场的增长。由于使用碳化硅的各种优势,如高温下的低电导损耗以及与传统硅功率...
金属半导体接触碳化硅工艺是一种重要的制造技术,可以大幅提高晶体管的性能和可靠性。通过金属半导体接触工艺,可以实现高质量的接触界面,并通过控制接触面积和接触压力,实现高效的电子注入和抽出。此外,金属半导体接触工艺还可以通过优化金...