碳化硅的退火温度较高,通常高于1600度,会引起表面碳化硅分解,需要用碳掩膜或氮化铝掩膜保护表面。 (2)栅极氧化层的可靠性。碳化硅是唯一一种能通过热氧化生成二氧化硅的化合物半导体,这很有利于碳化硅器件的规模化生产、降低成本,但SiC/SiO2氧化层界面质量差也是阻碍碳化硅MOSFET进一步发展的一大障碍。 可以通过高温氧化、...
晶圆经过切片和打磨后,需要通过一系列半导体制造工艺,包括离子注入、光刻、蚀刻、金属化等步骤,制造出最终的SiC半导体器件。 检测与封装 制造出的SiC半导体器件将经过严格的性能测试,确保器件的质量达标。 测试合格的器件会进行封装,以便集成到不同的电力电子设备中去。 碳化硅SiC与传统半导体对比 与传统半导体材料(如硅)...
碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似,主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行产线升级便可满足碳化硅器件的制造需求。而碳化硅材料的特殊性质决定其器件制造中某些工艺需要依靠特定设备进行特殊开发,以促使碳化硅器件耐高压、大电流功能的实现。 ...
第三代半导体长晶是指采用碳化硅(SiC)作为半导体材料的长晶工艺。与传统的硅晶锭相比,SiC衬底的制造需要从头开始开发设备、工艺和处理方法。整个SiC产业链中,自行长晶是最大的瓶颈,因为SiC长晶效率比Si慢100至200倍。例如,Si长晶约3天即可制造高度200cm的晶棒,而SiC要7天才能长出2至5cm的晶球。此外,SiC硬且脆,切...
激光背金去除技术的引入为碳化硅晶圆片加工中的背金处理提供了更加高效、稳定和环保的解决方案。随着碳化硅材料在电力电子器件中的应用不断扩大,激光技术将在半导体加工工艺中发挥更加重要的作用。 激光隐形改质切割技术: 碳化硅晶圆片精密加工的高效手段 在碳化硅晶圆片完成背金去除后,紧接着进行的关键工序是激光隐形改...
碳化硅半导体的生产工艺主要包括以下几个步骤: 1.原材料准备: 碳化硅半导体的主要原材料是高纯度的硅和碳 源,如石墨、聚苯乙烯等。这些原材料需要进行粉碎、筛选、洗涤等 处理,以提高材料的纯度和均匀性。 2.混合制备: 将精细处理后的硅粉和碳源混合,利用高温反应 炉进行碳化反应,制备出碳化硅晶体。 3.晶体生长: ...
碳化硅陶瓷在半导体制造中的散热部件上的应用具有显著优势。由于其高热导率,碳化硅陶瓷可用于制造散热片、散热基板等散热部件。这些散热部件在半导体器件中发挥着重要作用,如降低器件温度,提高器件的稳定性和可靠性。 2. 高温工艺 碳化硅陶瓷在半导体制造中的高温工艺上的应用具有显著优势。由于其高强度和高硬度,碳化硅陶...
半导体设备国产化 专用设备制造业 员工 碳化硅外延工艺及设备 | 在晶体生长和晶片加工过程中,会不可避免地在表面或近表面引入缺陷,导致衬底的体材料质量和表面质量都不够好,直接用其制得器件的性能较差。外延层的生长可以消除许多缺陷,使晶格排列整齐,表面形貌较衬底大为改观。这样的外延片用于制造功率器件,...
通过采用同一光罩进行光刻、刻蚀同时形成源接触孔和栅接触孔，减少了光罩层数，一方面可以节省光刻、刻蚀工艺时间，有利于减少工艺制造成本，另一方面有利于减少外来缺陷引发的参数异常，使工艺稳定性提高，从而提高生产效率、增加产能。天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机...
碳化硅特色工艺模块简介 碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。由于这些优异的性能,碳化硅在电力电子、微波射频、光电子等领域具有广泛的应用前景。然而,由于碳化硅 2024-01-11 17:33:14 碳化硅MOSFET是如何制造的?如何驱动碳化硅场效应管? 充电器、...