在碲锌镉单晶体的生长过程中,常见的缺陷包括点缺陷、线缺陷和面缺陷。点缺陷主要是指晶格中的原子缺失或位错,例如碲位点和锌位点的缺失。这些点缺陷会影响晶体的电子结构和导电性能,从而影响器件的性能。线缺陷指晶格中的一维缺陷,例如晶体中的位错线和螺旋线。这些线缺陷会导致晶体的机械强度下降和光学性能变差。面缺...
1.一种碲锌镉晶体的生长方法,其特征在于, 采用垂直温度梯度法使坩埚内的碲锌镉熔体从下而上冷却凝固进行碲锌镉晶体生长; 加热机构围绕竖直放置的坩埚布置; 加热机构从下往上包括第一加热器(H1)、第二加热器(H2)、第三加热器(H3)、第四加热 器(H4)、第五加热器(H5); ...
碲锌镉晶体生长技术的研究进展
本公开提供一种碲锌镉晶体的生长方法,其包括步骤:步骤一,将碲锌镉多晶块中封入镉粒;步骤二,将多个封入有镉粒的碲锌镉多晶块装入坩埚中;步骤三,对坩埚中的所述多个封入有镉粒的碲锌镉多晶块施加中频感应,直至坩埚中全部封入有镉粒的碲锌镉多晶块熔化,以形成熔体;步骤四,维持对熔体施加中频感应,采用坩埚下降...
本发明涉及一种碲锌镉晶体生长方法,包括如下步骤:S1,选用由上至下依次分布有材料补充区域、引晶区域以及生长区域的第一安瓿,并将碲锌镉多晶料装入至所述安瓿的材料补充区域中;S2,将装好了所述碲锌镉多晶料后的安瓿封装在第二安瓿中;S3,封装好后进行凝固工艺,使所述碲锌镉多晶料填满所述引晶区域以及所述...
碲锌镉晶体生长温度梯度与界面形状 稳定性关系的研究 曹㊀聪,刘江高,范叶霞,李振兴,周振奇,马启司,牛佳佳 (华北光电技术研究所,北京㊀100015)摘要:碲锌镉晶体被广泛用作红外探测器碲镉汞薄膜的外延衬底和制造室温核辐射探测器㊂在晶体生长过程中,界面形状与热量传输状态密切相关㊂本文结合数值模拟技术控制碲锌...
1、碲锌镉(czt)衬底材料是碲镉汞外延最理想的衬底材料。高性能碲镉汞红外焦平面器件、长波红外焦平面器件、新型碲镉汞雪崩型红外焦平面技术和高温工作红外焦平面技术的发展依赖于碲锌镉衬底材料。 2、然而,与si和gaas等半导体材料晶体生长相比,czt的物理性质相对特殊,属于三元合金,这些物理性质决定了生长这类单晶具有较...
本发明提供了一种碲锌镉单晶体的生长方法及装置,包括以下制备步骤:将碲锌镉熔体放入坩埚内;通过冷极棒使得生长界面的中心区域温度处于一个相对较低的水平,通过热极管避免了冷极棒的相对低温在熔体内部引发新的结晶;通过热极管以及冷极棒与坩埚之间产生相对位移,实现人为干预生长界面处,熔体这一侧的温度,使其形成中心...
分类号:O772 单位代码:10433 密 级: 学 号: 山东理工大学 硕士学位论文 碲锌镉晶体生长及加工工艺研究 The Research on CdZnTe Crystal Growth and Processing Technology 研究生: 滕东晓 指导教师: 刘俊成 教授 申请学位门类级别: 工学硕士 学科专业名称: 材料科学与工程 研究方向: 人工晶体材料 论文完成日期: ...