针对碲锌镉(CdZnTe)晶体中二次相缺陷问题,Cd源控制生长技术是更为有效的缺陷抑制技术.本文结合模拟仿真与实际测温调温,对比了VB法以及VGF法下Cd源处温度的可控性.在实现Cd源处温度控制基础上研究了不同Cd源处温度控制条件对晶体二次相缺陷尺寸及分布的影响.VB法中,Cd源处控制温度快速下降,晶体尾端出现三角形Te夹...