该发明通过在单晶炉内设置控温结构，对碲锌镉晶体生长界面温场进行温度补偿，提升晶体生长界面附近温场均匀性，利于单晶率提升；并且通过控温结构实现径向温度梯度控制以控制晶体生长界面温场形状使整个晶体生长界面温场利于大单晶的生长，而且较小的径向温度梯度，可以减少晶体缺陷的产生，利于提升晶体质量。天眼查资料显示，
碲锌镉作为一种重要的半导体材料，在红外探测、核辐射探测等领域展现出不可替代的优势。这种材料的性能高度依赖于单晶体的质量，而晶体生长过程就像一场精密编排的舞蹈，需要精准控制每个环节才能获得理想结果。研究者们经过多年探索，逐渐摸清了影响晶体质量的关键因素，但真正实现完美晶体的规模化生产仍然面临诸多挑战。...
分类号:O772 单位代码:10433 密 级: 学 号: 山东理工大学 硕士学位论文 碲锌镉晶体生长及加工工艺研究 The Research on CdZnTe Crystal Growth and Processing Technology 研究生: 滕东晓 指导教师: 刘俊成 教授 申请学位门类级别: 工学硕士 学科专业名称: 材料科学与工程 研究方向: 人工晶体材料 论文完成日期: ...
在碲锌镉单晶体的生长过程中,常见的缺陷包括点缺陷、线缺陷和面缺陷。点缺陷主要是指晶格中的原子缺失或位错,例如碲位点和锌位点的缺失。这些点缺陷会影响晶体的电子结构和导电性能,从而影响器件的性能。线缺陷指晶格中的一维缺陷,例如晶体中的位错线和螺旋线。这些线缺陷会导致晶体的机械强度下降和光学性能变差。面缺...
1.一种碲锌镉晶体的生长方法,其特征在于, 采用垂直温度梯度法使坩埚内的碲锌镉熔体从下而上冷却凝固进行碲锌镉晶体生长; 加热机构围绕竖直放置的坩埚布置; 加热机构从下往上包括第一加热器(H1)、第二加热器(H2)、第三加热器(H3)、第四加热 器(H4)、第五加热器(H5); ...
一种碲锌镉晶体的生长装置及生长方法 下载积分: 500 内容提示: (19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202310174154.1(22)申请日 2023.02.28(71)申请人 武汉高芯科技有限公司地址 430205 湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号2号楼(72)发明人 黄晟 黄立 严冰 ...
碲锌镉(cd。Zn。Te)(以下简称CZT)是一种重要的新型室温核辐射探测 器材料,在许多方面均有重要用途,是目前固溶化合物半导体材料研究的前沿。 由于其自身特点,采用传统布里奇曼法很难制备出高质量的单晶体,且存在于 晶体中的缺陷对探测器的性能有着极大的影响。针对于此,本文对改进的布里 奇曼法(坩埚下降法)生长CZ...
一种VGF-VB碲锌镉晶体生长方法.pdf,本发明属于晶体生长技术领域,具体涉及一种VGF‑VB碲锌镉晶体生长方法。本发明的方法巧妙整合了VGF法和VB法,在晶体生长的前期阶段,保持晶体生长炉相对晶体生长容器固定不动,通过控制晶体生长炉内温场的变化实现温度梯度区相对熔体的
碲锌镉晶体生长技术的研究进展
本发明涉及一种碲锌镉晶体生长方法,包括如下步骤:S1,选用由上至下依次分布有材料补充区域、引晶区域以及生长区域的第一安瓿,并将碲锌镉多晶料装入至所述安瓿的材料补充区域中;S2,将装好了所述碲锌镉多晶料后的安瓿封装在第二安瓿中;S3,封装好后进行凝固工艺,使所述碲锌镉多晶料填满所述引晶区域以及所述...