硅集成电路工艺基础 第一页，共63页 主要内容 3.1、杂质扩散机构3.2、扩散系数与扩散方程3.3、扩散杂质的分布3.4、影响杂质分布的其他因素3.5、扩散工艺3.6、扩散工艺的发展 3.7、与扩散有关的测量 第二页，共63页 3.1、杂质扩散机构 杂质原子的扩散方式有以下几种：①交换式：两相邻原子由于有足够高的...
半导体材料:硅是最常用的半导体材料,因其丰富、稳定、可控制的电子特性而被广泛应用于集成电路制造。 显示基片:硅晶圆(Silicon Wafer)是制造硅集成电路的基础材料。晶圆要求高纯度和平整度,并通过特定的杂质掺入工艺形成P型或N型半导体。 清洁和沉积:在制造过程中,晶圆需要经过清洁工艺以去除杂质和污染物。然后,在晶...
硅集成电路工艺基础 上节课内容小结 ②有限表面源扩散：扩散之前在硅片表面先沉积一层杂质，这层杂质 作为扩散的杂质源，不再有新源补充。杂质分布形式：高斯分布 随着扩散时间增大，表面杂质浓度降低，结深增大，pn结处的杂质浓度梯度变缓。上节课内容小结 两步扩散：采用两种扩散结合的方式。预扩散：较低温度，恒定...
硅集成电路工艺基础 基本概念 外延：是指在单晶衬底(如硅片)上，按衬底晶向生长单晶薄膜的工艺过程。生长有外延层的硅片称为外延片。（作业1）同质外延：生长的外延层和衬底是同一种材料。异质外延：外延生长的薄膜与衬底材料不同，或者生长化学组分、物理结构与衬底完全不同的外延层，如SOS技术（在蓝宝石或尖晶石上...
《普通高等教育"十五"国家级规划教材•硅集成电路工艺基础》系统讲述了硅集成电路制造中的单项工艺,内容主要包括硅的晶体结构、氧化、扩散、离子注入、物理气相淀积、化学气相淀积、外延、光刻与刻蚀、金属化与多层互连,最后介绍了CMOS集成电路、双极集成电路以及BiCMOS集成电路的工艺集成。此外,对新工艺、新技术、集成电...
网络形成者(剂)--可以替代SiO2网络中硅的杂质,也就是能代替Si-O四面体中心的硅,并能与氧形成网络的杂质。特点:离子半径与硅接近。 网络改变者(剂)--存在于SiO2网络间隙中的杂质。一般以离子形式存在网络中。特点:离子半径较大,以氧化物形式进入SiO2中,进入网络之后便离化,并把氧离子交给SiO2网络。 硅的热氧化...
扩散是半导体掺杂的重要方法之一, 扩散方法首先由Pfann在1952年提出来,广泛应用于集成电路中,形成晶体管的基极、发射极、集电极,电阻,MOS工艺中形成源极、漏极、互连引线等。 硅集成电路工艺中,采用SiO2作为掩膜,进行选择性扩散。3.1、杂质扩散机构3.2、扩散系数与扩散方程3.3、扩散杂质的分布3.4、影响杂质分布的其他...
1、1 SiO2的结构和性质: 分为结晶形和非结晶形(无定形),均由Si-O四面体组成:中心-硅原子,四个顶角-氧原子,形成O-Si-O键桥,相邻四面体靠此键桥连接。结晶形SiO2由Si-O四面体在空间规则排列所构成。非结晶形SiO2依靠桥键氧把Si-O四面体无规则地连接起来,构成三维的玻璃网络体。热氧化制备SiO2的过程中,是氧...
一、硅集成电路工艺基础简介 硅集成电路(Silicon Integrated Circuit,简称SIC)是一种将微米级甚至纳米级的电子器件形成于硅芯片上的技术。它已经成为现代电子技术中不可或缺的一部分。硅集成电路以其高密度、小体积、低功耗、高可靠性和低成本等特点,被广泛应用于电脑、手机、平板、智能...