半导体材料:硅是最常用的半导体材料,因其丰富、稳定、可控制的电子特性而被广泛应用于集成电路制造。 显示基片:硅晶圆(Silicon Wafer)是制造硅集成电路的基础材料。晶圆要求高纯度和平整度,并通过特定的杂质掺入工艺形成P型或N型半导体。 清洁和沉积:在制造过程中,晶圆需要经过清洁工艺以去除杂质和污染物。然后,在晶...
硅集成电路工艺基础 上节课内容小结 ②有限表面源扩散:扩散之前在硅片表面先沉积一层杂质,这层杂质 作为扩散的杂质源,不再有新源补充。杂质分布形式:高斯分布 随着扩散时间增大,表面杂质浓度降低,结深增大,pn结处的杂质浓度梯度变缓。上节课内容小结 两步扩散:采用两种扩散结合的方式。预扩散:较低温度,恒定...
《普通高等教育"十五"国家级规划教材•硅集成电路工艺基础》系统讲述了硅集成电路制造中的单项工艺,内容主要包括硅的晶体结构、氧化、扩散、离子注入、物理气相淀积、化学气相淀积、外延、光刻与刻蚀、金属化与多层互连,最后介绍了CMOS集成电路、双极集成电路以及BiCMOS集成电路的工艺集成。此外,对新工艺、新技术、集成电...
硅集成电路工艺基础第1页,课件共76页,创作于2023年2月②有限表面源扩散:扩散之前在硅片表面先沉积一层杂质,这层杂质作为扩散的杂质源,不再有新源补充。杂质分布形式:高斯分布随着扩散时间增大,表面杂质浓度降低,结深增大,pn结处的杂质浓度梯度变缓。上节课内容小结第2页,课件共76页,创作于2023年2月两步扩散:...
《硅集成电路工艺基础第二版》是2014年北京大学出版社出版的图书。内容简介 本书是《硅集成电路工艺基础》的第二版教材,作者在第一版的基础上系统的讲述了硅集成电路制造的基础工艺,加深了工艺物理基础和基本原理的介绍。增加了工艺集成例子的介绍。图书目录 第一章 硅晶体和非晶体 第二章 氧化 第三章 扩散 ...
晶薄膜的工艺技术。 应用 ①双极器件与电路: 轻掺杂的外延层——较高的击穿电压; 重掺杂的衬底降低集电区的串联电阻。 ②CMOS电路: 防止了闩锁效应:降低漏电流。 外延的分类 ①按工艺分类: 气相外延〔VPE〕:硅的主要外延工艺; 液相外延〔LPE〕:Ⅲ-Ⅴ化合物的外延; 固相外延〔SPE〕:离子注入退火过程; ...
硅集成电路工艺基础 第一页,共63页 主要内容 3.1、杂质扩散机构3.2、扩散系数与扩散方程3.3、扩散杂质的分布3.4、影响杂质分布的其他因素3.5、扩散工艺3.6、扩散工艺的发展 3.7、与扩散有关的测量 第二页,共63页 3.1、杂质扩散机构 杂质原子的扩散方式有以下几种:①交换式:两相邻原子由于有足够高的...
一、硅集成电路工艺基础简介 硅集成电路(Silicon Integrated Circuit,简称SIC)是一种将微米级甚至纳米级的电子器件形成于硅芯片上的技术。它已经成为现代电子技术中不可或缺的一部分。硅集成电路以其高密度、小体积、低功耗、高可靠性和低成本等特点,被广泛应用于电脑、手机、平板、智...
1、1 SiO2的结构和性质: 分为结晶形和非结晶形(无定形),均由Si-O四面体组成:中心-硅原子,四个顶角-氧原子,形成O-Si-O键桥,相邻四面体靠此键桥连接。结晶形SiO2由Si-O四面体在空间规则排列所构成。非结晶形SiO2依靠桥键氧把Si-O四面体无规则地连接起来,构成三维的玻璃网络体。热氧化制备SiO2的过程中,是氧...