硅集成电路工艺基础 上节课内容小结 ②有限表面源扩散：扩散之前在硅片表面先沉积一层杂质，这层杂质 作为扩散的杂质源，不再有新源补充。杂质分布形式：高斯分布 随着扩散时间增大，表面杂质浓度降低，结深增大，pn结处的杂质浓度梯度变缓。上节课内容小结 两步扩散：采用两种扩散结合的方式。预扩散：较低温度，恒定...
硅集成电路工艺基础4上传人:1*** IP属地:北京 上传时间:2024-03-16 格式:PPT 页数:76 大小:3.21MB 积分:1.2 举报 版权申诉 已阅读5页,还剩71页未读, 继续免费阅读 版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领文档简介...
7.1硅气相外延的基本原理 目前生长硅外延层主要有四种源: ①四氯化硅(SiCl4):早期的集成电路一般采用SiCl4源,使用SiCl4生长外延层需要很高的温度,不适应现今集成电路工艺的要求,目前主要应用在传统的外延工艺中。 ②三氯硅烷(SiHCl3,TCS):SiHCl3与SiCl4特性相似,但SiHCl3源可以在较低的温度下进行外延,且生长速率...
硅集成电路工艺基础:第一章 硅的晶体结构.ppt,IC设计及制造基本流程 集成电路的设计过程 功能仿真是最基本的仿真验证,是基于设计布线和配置之前进行的,它只能仿真设计中的逻辑功能。通过功能仿真,可以验证整个系统的逻辑功能是否正确。用户可以通过观看仿真的波形来对系
集成电路工艺基础—硅晶体结构.ppt,第一章 硅的晶体结构与单晶生长 第一章 硅的晶体结构与单晶生长 1.1 硅晶体结构的特点 1.2 晶向、晶面和堆积模型 1.3 硅晶体中的缺陷 1.4 硅中的杂质 1.5 杂质在硅晶体中的溶解度 1.6 硅单晶生长 1.1.2 原子密度 顶角:1/8 ; 面心:1/2
硅集成电路工艺基础:第六章 化学气相沉积.ppt,温度:在310-450℃之间,淀积速率随着温度的升高而缓慢增加,当升高到某个温度时,表面吸附或者气相扩散将限制淀积过程。 氧气与硅烷比率:在恒定的温度下,可以通过增加氧气对硅烷的比率来提高淀积速率。但如果不断增加氧气的
硅集成电路工艺基础第1页,共63页,编辑于2022年,星期日、杂质扩散机构、扩散系数与扩散方程、扩散杂质的分布、影响杂质分布的其他因素、扩散工艺、扩散工艺的发展、与扩散有的一维表达式为:第14页,共63页,编辑于2022年,星期日扩散流密度 J 定义为单位时间通过单位面积的杂质(粒子)数。D是扩散系数,D的单位为cm2/...
集成电路工艺基础—硅的晶体结构培训课件 2020年4月30日星期四 •第一章硅的晶体结构与单晶生长 •第一章硅的晶体结构与单晶生长 •第一章硅的晶体结构与单晶生长 ❖1.1硅晶体结构的特点❖1.2晶向、晶面和堆积模型❖1.3硅晶体中的缺陷❖1.4硅中的杂质❖1.5杂质在硅晶体中的溶解度❖1.6硅...
硅集成电路工艺基础期末复习53页PPT 硅集成电路工艺基础期末复习 ▪ 26、要使整个人生都过得舒适、愉快，这是不可能的，因为人类必须具备一种能应付逆境的态度。——卢梭 ▪ 27、只有把抱怨环境的心情，化为上进的力量，才是成功的保证。——罗曼·罗兰 ▪ 28、知之者不如好之者，好之者不如乐之者。—...
第六章 化学气相沉积 硅集成电路工艺基础教学课件.ppt,6.6.2 硅化钨的化学气相沉积 CVD硅化钨薄膜在ploycide(多晶硅/难熔金属硅化物)多层栅结构中广泛应用,WSix是以覆盖方式淀积在掺杂的多晶硅薄膜上,然后被刻蚀形成ploycide栅结构。 1 淀积WSix薄膜的化学反应式: 要增