半导体产业再获佳绩，烁科晶体SiC二期项目圆满收官近日，山西转型综合改革示范区再传捷报，烁科晶体SiC二期项目顺利通过竣工验收，并正式投产。此举不仅为该地区的经济发展带来了新的增长点，更为中国电科（山西）碳化硅材料产业基地的产能扩大及技术革新提供了有力支撑。烁科晶体SiC二期项目坐落于山西转型综合改革示范区潇...
近期,我国两家碳化硅大企天岳先进、烁科晶体先后披露了最新一代12英寸SiC衬底。据多位行业人士表示,虽然可以明显看到12英寸SiC衬底需求较大,但是今年和明年仍处于8英寸碳化硅元年,预计12英寸SiC衬底小规模生产时间将落在2027年开始。 烁科晶体发布12英寸碳化硅衬底 12月26日,中电科半导体材料有限公司所属山西烁科晶体有...
SiC属于宽禁带半导体材料,具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势,是卫星通信、电动汽车、高压输变电、轨道交通等重要领域的核心材料。 SiC单晶的制备一直是全球性技术难题,而高稳定性的晶体生长工艺则是其中最核心的技术。 如今,烁科晶体已建立起完整的SiC晶片生产线,突破晶体生长、切割抛光等关键技术,粉料纯度达到99...
中国SiC衬底厂普查(6): 烁科晶体/天达晶阳/合盛硅业 “以SiC为代表的第三弹半导体产业目前正处于快速发展阶段,其中新能源汽车及其配套充电产业为主要的发展推力。目前国内SiC产业和海外企业相比还存在一定的技术差距和产能差距,伴随着国内新能源汽车的兴起,近年来越来越多的公司涌入了这一领域,极大的推动了国内SiC衬...
第一部分:烁科晶体SIC衬底的当前状况 烁科晶体SIC衬底作为一种新兴的半导体材料,具有优异的性能特点,例如高熔点、高热传导系数和高电子迁移率等。这些特性使得SIC衬底在高温、高频和高功率等领域具有广泛的应用前景。 然而,由于其特殊的物理和化学性质,SIC衬底的制备相对来说较为复杂和昂贵,导致其生产成本较高,产能有...
烁科晶体SiC二期项目在山西转型综合改革示范区潇河产业园太原起步区(北区)顺利完成竣工验收,标志着该高科技项目正式投产。二期项目预计将使烁科晶体每年新增20万片6-8英寸碳化硅衬底的产能,包括N型碳化硅单晶衬底20万片/年、高纯衬底2.5万片/年、莫桑晶体1.3吨/年。这一产能的扩张,不仅满足了市场对高性能半导体材料的...
上游部分包括碳化硅粉体、晶体、衬底、外延等四个环节,一般而言,衬底供应商会自制碳化硅粉体、生长碳化硅晶体。国外龙头企业主要有Cree、Rohm、II-VI、Dow Corning、Norstel、三菱电机等,国内企业主要有山东天岳、天科合达。外延环节的主要国内企业为瀚天天成、东莞天域。
烁科晶体SiC二期项目位于山西转型综合改革示范区潇河产业园太原起步区(北区),是该地区重点推进的高科技项目之一。该项目在2023年8月完成备案,同年10月提交建设申请,并迅速在2023年9月开始建设,11月主体封顶。经过紧张而有序的施工,项目于2024年3月进入机电与设备安装阶段,并计划于同年4月开始试运行。如今,项目已圆...
中国电科SiC衬底二期项目预计3月试生产 近日,山西烁科晶体有限公司(以下简称烁科晶体)中国电科(山西)碳化硅(SiC)材料产业基地(二期)项目正在进行消防管道、机电安装施工和保温材料安装等,为月底设备进场全力冲刺。 据介绍,中国电科(山西)SiC材料产业基地二期项目于2023年9月份开始建设,10月份进入主体钢结构施工,11月...
山西转型综合改革示范区再传喜讯,烁科晶体SiC二期项目已顺利通过竣工验收,标志着该项目正式投产。这一里程碑事件不仅为当地经济发展注入新动力,也为中国电科(山西)碳化硅材料产业基地的产能扩张和技术创新奠定了坚实基础。 烁科晶体SiC二期项目位于山西转型综合改革示范区潇河产业园太原起步区(北区),是该地区重点推进的高...