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本报讯 日前，山西烁科晶体有限公司成功研制出12英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，属全球首发。同期，还研制成功12英寸（300mm）N型碳化硅单晶衬底。烁科晶体位于山西转型综改示范区潇河新兴产业园区，是国内从事第三代半导体材料碳化硅生产和研发的领军企业。近年来，该企业通过自主创新和自主研发，全面掌握了碳化...
金融界2024年12月31日消息，国家知识产权局信息显示，山西烁科晶体有限公司取得一项名为“一种用于碳化硅生长的气体混合加热系统”的专利，授权公告号 CN 222226649 U，申请日期为2024年1月。专利摘要显示，本实用新型公开了一种用于碳化硅生长的气体混合加热系统，属于碳化硅晶体生长技术领域；包括多根掺杂气体管路、气体...
简介:山西烁科晶体有限公司,成立于2018年,位于山西省太原市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本40964.5333万人民币,实缴资本40964.5333万人民币,并已于2023年完成了B轮。通过天眼查大数据分析,山西烁科晶体有限公司参与招投标项目124次;知识产权方面有商标信息36条,专利信息77条,著...
烁科晶体：全球首发12英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅衬底 2024年12月26日，中电科半导体材料有限公司所属山西烁科晶体有限公司成功研制出12英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，并同期研制成功12英寸（300mm）N型碳化硅单晶衬底。烁科晶体一直坚持聚焦碳化硅材料研发及生产，开拓碳化硅材料更广阔的应用场景。先后攻克了...
山西烁科晶体取得真空密封非接触式动力传送结构专利，解决动力传送与密封性兼容的问题 金融界2025年1月20日消息，国家知识产权局信息显示，山西烁科晶体有限公司取得一项名为“一种真空密封非接触式动力传送结构”的专利，授权公告号 CN 222356179 U，申请日期为2024年1月。专利摘要显示，本实用新型公开了一种真空密封...
金融界2024年12月7日消息，国家知识产权局信息显示，山西烁科晶体有限公司申请一项名为“碳化硅原料的合成装置及其合成方法”的专利，公开号 CN 119082706 A，申请日期为2024年9月。专利摘要显示，本发明提供了一种碳化硅原料的合成装置，属于碳化硅制备技术领域。本发明包括密闭空间，由下托盘、围挡和上盖围合而成；...
金融界2024年12月11日消息，国家知识产权局信息显示，山西烁科晶体有限公司取得一项名为“一种碳化硅表面金属沾污取样台”的专利，授权公告号CN 222124806 U，申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本实用新型公开了一种碳化硅表面金属沾污取样台，属于碳化硅材料清洗检测技术领域；包括环形的变径旋转台、圆形的水平台、...
山西烁科晶体取得一种抛光机磨头压力反馈及调节装置专利，使下方物料得到充分且均匀的压力 金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，山西烁科晶体有限公司取得一项名为“一种抛光机磨头压力反馈及调节装置”的专利，授权公告号 CN 222200119 U，申请日期为2024年1月。专利摘要显示，本实用新型公开了一种抛光...
简介:山西烁科晶体有限公司,成立于2018年,位于山西省太原市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本40964.5333万人民币,实缴资本40964.5333万人民币,并已于2023年完成了B轮。通过天眼查大数据分析,山西烁科晶体有限公司参与招投标项目124次;知识产权方面有商标信息36条,专利信息78条,著...