这里c 可能是质量,热量,温度,浓度等,D是扩散系数,v是载体的流动速度(v=μE对半导体物理),R是生成复合项或源漏项。电子空穴的连续性方程(1.10)、扩散漂移方程(1.14)和麦克斯韦方程及泊松方程,可以耦合求解一些半导体器件和光电子器件的多物理问题。扩散漂移模型假设晶格温度和载流子温度是一致的。但对于高功率、短沟...
功率芯Talk: 摘要:本节将介绍半导体相关的三个基本方程,泊松方程,输运方程和连续性方程。半导体器件内的载流子在外场作用下的运动规律可以用这三组基本方程来加以描述,同时TCAD仿真工具的数值分析也是基…阅读全文 赞同97 11 条评论 分享收藏 微电子器件三大基本方程(二):输运方程与连续性方程...
半导体物理-载流子的漂移运动、双极扩散 连续性方程
不是这个领域的。关于雅可比矩阵奇异导致的收敛问题，是否可以考虑引入一个单位阵 J+I? 应该有很多解决...
本文通过建立固体介质放电简化物理模型,以及针对物理模型建立固体介质放电数学模型,包括空间电荷连续性方程、耦合泊松方程、漂移扩散方程以及固体传热方程。对固体介质击穿的击穿机理进行了描述。而且应用广义坐标、球坐标系等一般方法分别说明两种损耗介质分界面的电荷密度分布,并且分析了固体介质中含有气泡时,轴向电场及径向...
漂移-扩散方程是用来描述半导体中载流子的运动规律的方程。它描述了两类运动:扩散电流和漂移电流。漂移扩散方程和泊松方程一起可以用来计算半导体内的电势分布和载流子浓度分布,该模型应用广泛,属于用半经典性模型。 简介 漂移-扩散方程是用来描述半导体中载流子的运动规律的方程。它描述了两类运动:扩散电流和漂移电流。漂...
Δn 扩散的不同步 均匀 一般情况下E自 E外 E ≈E外 ∂ ∂E ( ) E 自 q Δp −Δn 而 ∂x ∂x εε ⎯⎯ 泊松方程 ∇⋅D ρ 0 r 56/58 7.7 连续性方程9 7.7.3 连续性方程的一般情形 2 ∂Δp ∂ Δp ∂Δp ∂E Δp D − E − p − p 2 μp μp ...
漂移-扩散方程是用来描述半导体中载流子的运动规律的方程。它描述了两类运动：扩散电流和漂移电流。漂移扩散方程和泊松方程一起可以用来计算半导体内的电势分布和载流子浓度分布，该模型应用广泛，属于用半经典性模型。公式 n型半导体 p型半导体 电流连续性方程：其中nandp代表空穴和电子的载流子密度；q代表基本电荷；Jₙ...