游经碧,男,博士,研究员,博士生导师。 1982年2月出生于湖北。2005年毕业于湖北大学电子科学与技术系;2010年于中国科学院半导体研究所获博士学位;2010年至2015年在美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)材料科学与工程系从事博士后研究工作;2015年加入中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室。 重要科研成果: 长期从事有机及有...
游经碧 1278人看过 ScholarID:CN-B0G9GPAK 中国科学院半导体研究所 被引频次 159 成果数 60 H指数 4 G指数 12领域: 材料科学与工程 期刊 81.7% 会议 11.7% 专著 0% 其它 6.6% 总计 60篇 2019年成果数19 2018年被引量106 全部年份 全部类型 全部作者 按时间降序 Developments of Highly Efficient Perovsk...
他主要从事高性能低成本的钙钛矿半导体光电器件研究。 01 回归:为了祖国的需要 2010年6月,游经碧在中国科学院半导体研究所获得博士学位后,到美国加州大学洛杉矶分校从事博士后研究。在国外的五年,游经碧抛开一切杂念,潜心科研,努力研习国外先进...
游经碧,男,博士,中国科学院半导体研究所 研究员,博士生导师 基本信息 中文名 游经碧 出生日期 1982年 民族 汉族 国籍 中国 折叠编辑本段个人研究经历 研究兴趣 1. 有机太阳能电池 2. 金属表面等离激元增强光电子学 3. 无机宽带隙半导体材料 教育经历
近日,中国科学院半导体研究所游经碧研究员带领的团队在反型结构钙钛矿太阳能电池方面取得重要进展,此项研究成果以“Homogenized NiOx nanoparticles for improved hole transport in inverted perovskite solar cells”为题,以“first release”形式在线发表于《科学》(Science)期刊。
中科院半导体所游经碧研究员最新Science 根据以前的研究,碘化铅(PbI 2)的二次相(secondary phase)对于提高钙钛矿太阳能电池(PSC)的性能至关重要。因为无论是在块体中还是在钙钛矿薄膜的晶界中,过量的PbI 2在形成I型能带排列时可以产生的钝化效应,从而提高了钙钛矿电池的功率转化效率(PCE)。然而,过量的PbI 2过于活跃...
在此,中国科学院半导体研究所游经碧研究员等人通过过氧化氢(H2O2)处理,优化了[4-(3,6-二甲基-9H-咔唑-9-基)丁基]膦酸(Me-4PACz)在氧化镍(NiOx)纳米颗粒上的自组装过程,使其更好的用作HTL,由于形成了Ni3+和用于键合的表面羟基,纳米颗粒的分散更加均匀,并具有高导电性。
近日,中国科学院半导体研究所游经碧研究员领导的团队实现了85℃条件下钙钛矿材料热稳定性大幅度提升,同时钙钛矿材料的离子迁移势垒提高了3倍,离子迁移得到了有效抑制。相关研究成果以「Inactive (PbI₂)₂RbCl stabilizes perovskite films for ...
近日,中国科学院半导体研究所游经碧研究员领导的团队实现了85℃条件下钙钛矿材料热稳定性大幅度提升,同时钙钛矿材料的离子迁移势垒提高了3倍,离子迁移得到了有效抑制。相关研究成果以「Inactive (PbI₂)₂RbCl …