游经碧,男,博士,研究员,博士生导师。 1982年2月出生于湖北。2005年毕业于湖北大学电子科学与技术系;2010年于中国科学院半导体研究所获博士学位;2010年至2015年在美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)材料科学与工程系从事博士后研究工作;2015年加入中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室。 重要科研成果: 长期从事有机及有...
近日,中国科学院半导体研究所游经碧研究员(通讯作者),博士生王鹏阳(第一作者)等人使用溶剂控制生长的方法(SCG)制备了高质量的CsPbI3薄膜,组装得到的器件光电转换效率达15.7%,美国Newport权威机构认证效率为14.67%,此外,器件持续光照500h,效率无衰减。相关成果以题为“Solvent-controlled growth of inorganic perovskite fi...
2021年4月24日下午,游经碧研究员应邀访问我院,并在致知楼2712报告厅为我院师生带来了题目为“高效有机无机半导体光电器件”的精彩报告。我院赵奎教授等老师及相关专业的研究生博士生参加了此次报告,报告会由刘生忠教授主持。 首先,刘生忠教授对游经碧研究员表示热烈的欢迎,并向各位师生介绍了游老师的基本情况。随后,游...
近期,中国科学院半导体研究所研究员游经碧带领的团队,在p-i-n反型结构钙钛矿太阳能电池的p型空穴传输层设计和可控生长等方面取得了重要进展。该团队创新性地在透明导电衬底FTO和SAM层之间引入溶液法制备的p型氧化镍(NiOx)纳米颗粒,显著增强了SAM的自组装能力。同时,研究通过同质化NiOx纳米颗粒,实现了在均匀致密NiOx薄...
2021年4月24日下午,游经碧研究员应邀访问我院,并在致知楼2712报告厅为我院师生带来了题目为“高效有机/无机半导体光电器件”的精彩报告。我院赵奎教授等老师及相关专业的研究生博士生参加了此次报告,报告会由刘生忠教授主持。 首先,刘生忠教授对游经碧研究院表示热烈的欢迎,并向各位师生介绍了游老师的基本情况。随后,...
近日,中国科学院半导体研究所游经碧研究员(通讯作者),博士生王鹏阳(第一作者)等人使用溶剂控制生长的方法(SCG)制备了高质量的CsPbI3薄膜,组装得到的器件光电转换效率达15.7%,美国Newport权威机构认证效率为14.67%,此外,器件持续光照500h,效率无衰减。相关成果以题为“Solvent-controlled growth of inorganic perovskite fi...
蒋琦,女,博士,研究员,博士生导师。1991年10月出生于湖南。2013年本科毕业于湖北大学微电子系;2018年于中国科学院半导体研究所获得博士学位(导师:张兴旺研究员/游经碧研究员);2018年至2023年先后在美国北卡罗来纳大学教堂山分校(UNC,合作导师:黄劲松教授)及美国国家可再生能源实验室(NREL,朱凯研究员)从事博士后研究...
游经碧,男,博士,研究员,博士生导师。 1982年2月出生于湖北。2005年毕业于湖北大学电子科学与技术系;2010年于中国科学院半导体研究所获博士学位;2010年至2015年在美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)材料科学与工程系从事博士后研究工作;2015年加入中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室。