游经碧,男,博士,研究员,博士生导师。 1982年2月出生于湖北。2005年毕业于湖北大学电子科学与技术系;2010年于中国科学院半导体研究所获博士学位;2010年至2015年在美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)材料科学与工程系从事博士后研究工作;2015年加入中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室。 重要科研成果: 长期从事有机及有...
所以,如何控制过剩的不稳定的PbI 2是钙钛矿薄膜中实现高效率的关键。 这里,中国科学院半导体研究所游经碧研究员团队利用RbCl掺杂的方法将PbI 2转化为不活泼的(PbI2)2RbCl化合物,这有效地稳定了钙钛矿相。在此策略的基础上,该团队制作的FAPbI 3(FA,甲酰胺)钙钛矿太阳能电池得功率转化效率高达25.6%。器件在货架上存放...
近日,中国科学院半导体研究所游经碧研究员带领的团队在反型结构钙钛矿太阳能电池方面取得重要进展,此项研究成果以“Homogenized NiOx nanoparticles for improved hole transport in inverted perovskite solar cells”为题,以“first release”形式在线发表于《科学》(Science)期刊。 钙钛矿太阳能电池被认为是未来最具潜力的光...
近日,中国科学院半导体研究所游经碧研究员领导的团队实现了85℃条件下钙钛矿材料热稳定性大幅度提升,同时钙钛矿材料的离子迁移势垒提高了3倍,离子迁移得到了有效抑制。相关研究成果以「Inactive (PbI₂)₂RbCl stabilizes perovskite films for ...
近日,中国科学院半导体研究所游经碧研究员领导的团队实现了85℃条件下钙钛矿材料热稳定性大幅度提升,同时钙钛矿材料的离子迁移势垒提高了3倍,离子迁移得到了有效抑制。相关研究成果以「Inactive (PbI₂)₂RbCl …
据可靠消息,钙钛矿太阳能电池的这个最新认证记录来自中国科学院半导体研究所游经碧研究员所领导的研究小组。 游经碧,博士,研究员,博士生导师,2015年入选中组部第十一批“千人计划”青年人才项目。1982年2月出生,2005年毕业于湖北大学电子科学与技术系;2010年于中国科学院半导体研究所获博士学位;2010年至2015年在美国加州...
近日,中国科学院半导体研究所游经碧研究员(通讯作者),博士生王鹏阳(第一作者)等人使用溶剂控制生长的方法(SCG)制备了高质量的CsPbI3薄膜,组装得到的器件光电转换效率达15.7%,美国Newport权威机构认证效率为14.67%,此外,器件持续光照500h,效率无衰减。相关成果以题为“Solvent-controlled growth of inorganic perovskite fi...
2021年4月24日下午,游经碧研究员应邀访问我院,并在致知楼2712报告厅为我院师生带来了题目为“高效有机无机半导体光电器件”的精彩报告。我院赵奎教授等老师及相关专业的研究生博士生参加了此次报告,报告会由刘生忠教授主持。 首先,刘生忠教授对游经碧研究员表示热烈的欢迎,并向各位师生介绍了游老师的基本情况。随后,游...
近日,中科院半导体所游经碧团队在钙钛矿材料中引入少量氯化铷 (RbCI)等,获得高稳定性、光吸收扩展的钙钛矿材料,基于该材料研制出认证效率为25.6%的钙钛矿太阳能电池,为目前公开发表的单结钙钛矿太阳能电...