它的结构如下所示: 1.基础结构:浮栅晶体管是一种三端器件,由控制栅极、源极和漏极组成。控制栅极用于控制通道的导电性。 2.硅基底:浮栅晶体管的基底通常是由硅材料构成,它是整个器件的基本结构。 3.通道区域:通道区域被夹在源极和漏极之间,是电子流动的路径。 4.控制栅极:控制栅极位于通道区域上方,通过对控制...
3D-NAND中的浮栅晶体管结构1.第一种材料结构(a) 显示了3D-NAND单元的俯视图,其中包含一个多晶硅浮栅,该浮栅由氧化物-多晶硅-氧化物-氮化物(OPOP)堆栈组成。这种结构允许每个存储单元独立地存储电荷,从而表示不同的数据状态。图(b) 是3D-NAND单元的侧视截面图,展示了多晶硅浮栅...
浮栅晶体管既有实心结构,又有空心结构。 一、实心浮栅晶体管 实心浮栅晶体管的结构相对简单,由源极、漏极、栅极和漂移区组成。其中,漂移区用于控制电荷输送,栅极是浮栅晶体管的关键部分。浮栅晶体管通过将一个绝缘层垫片置于源漏节点之间,从而在晶体管内部形成一个被称为“浮栅”的...
在模拟电路中,浮栅晶体管主要用于放大器、开关等器件中。在射频电路中,浮栅晶体管主要用于功率放大器、调制器、混频器等器件中。 四、总结 浮栅晶体管是一种具有双栅结构的场效应管,它由源极、漏极、门极和浮栅四个部分组成。它的工作原理是利用控制浮栅上电荷的大小和正负,来控制反型沟道的电导率,从而控制晶体...
浮栅晶体管主要是应用于于非易失性存储器之中,比如nand flash中的基本单元,现在我们介绍浮栅晶体管的组成结构以及原理。上图就是浮栅晶体管大致的组成图,是在NMOS的基础上在控制栅极下的绝缘层之间加入了一层浮栅层,用于储存电子。 其中与沟道接近的绝缘层二氧化硅厚度
双括号源漏浮栅晶体管(DD-FET)是一种基于MOSFET结构的新型晶体管。其结构与传统的MOSFET类似,但在源和漏之间加入了双括号结构。这种结构可以大大减小源漏电阻,提高了器件的开关速度和电流驱动能力。 二、双括号源漏浮栅晶体管的特点 1. 低源漏电阻:双括号结构可以减小源漏电阻,提...
浮栅晶体管结构与传统FET晶体管结构类似,但栅极为复合结构,其中与外界电源接触的为控制栅极,非接触的为浮栅,控制栅与浮栅之间有一层绝缘氧化层,浮栅与硅基底之间有一层绝缘氧化层。浮栅晶体管具有“记忆”功能:当控制栅打开(施加以正电压)且源漏两端通电时,源漏极导通,有电流通过浮栅底部的硅基底;当控制栅施加的...
该半浮栅晶体管结构包括:衬底,具有相互隔离的第一N阱区和第二N阱区;栅氧化层,设置在衬底的表面上,具有间隔槽,间隔槽设置在第一N阱区所在衬底的表面上;浮栅,设置在衬底的表面上,且内部掺杂有P型杂质离子,浮栅包括:第一浮栅部,充满间隔槽设置;第二浮栅部,与第一浮栅部一体设置,且设置在第一浮栅部以及裸露的栅...
该半浮栅晶体管结构包括:衬底,具有相互隔离的第一N阱区和第二N阱区;栅氧化层,设置在衬底的表面上,栅氧化层中设有间隔槽,间隔槽设置在第一N阱区上;浮栅,设置在衬底的表面上,且内部掺杂有P型离子,浮栅包括:第一浮栅部,设置在栅氧化层的远离衬底的表面上;第二浮栅部,与第一浮栅部一体设置,且设置在间隔槽中,...
半浮栅晶体管（SFGT）：结构巧 性能高金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）是目前集成电路中最基本的器件，工艺的进步让MOSFET晶体管的尺寸不断缩小，而其功率密度也一直在升高。我们常用的U盘等闪存芯片则采用了另一种称为浮栅晶体管的器件。闪存又称“非挥发性存储器”。所谓“非挥发”，就是在...