浮栅晶体管的工作原理涉及三个重要过程:写入、保留和删除电子。这些操作的实现基于量子隧道效应和电场控制。 1. 电子写入过程 在写入过程中,相对于基板向控制栅极施加高电压,从而产生强电场。此时,离子陷阱中的电子通过浮栅层的隧道效应被吸引并积累。当电压移除时,浮置栅极层会被绝缘层覆盖,以防止电子逃逸并维持当前的...
上图就是浮栅晶体管大致的组成图,是在NMOS的基础上在控制栅极下的绝缘层之间加入了一层浮栅层,用于储存电子。 其中与沟道接近的绝缘层二氧化硅厚度比较薄,电子在比较大的电场作用下,会隧穿进入浮栅层。 在写入电子时,在控制栅极施加相对于衬底的高压时,离子阱的电子被吸引并隧穿进入浮栅层被存储在其中,如果撤销电压...
NandFlash根据存储原理分三类。NandFlash根据存储原理不同,分为SLC、MLC、TLC三类(现已出现第四种类型:QLC)。NandFlash与NorFlash的基本单元结构都是基于浮栅晶体管(Floatinggatetransistor)。浮栅晶体管结构与传统FET晶体管结构类似,但栅极为复合结构,其中与外界电源接触的为控制栅极,非接触的为浮栅,控制栅与浮栅之间有...