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水平结构LED芯片的两个电极在LED芯片的同一侧,电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两侧,由图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极,使得电流几乎全部垂直流过LED外延层,极少横向流动的电流,可以改善平面结构的电流分布问题,提高发光效率,也可以解决P极的...
专利摘要显示，本发明提供一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法，其中，通孔型垂直结构LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、绝缘层、欧姆接触层、反射结构以及外延叠层；其中，在介质膜层背离外延叠层的一侧表面设有图形化的粘附结构，且粘附结构同时还与金属反射层及欧姆接触层形成连接，图形化的粘附结构可在不影响...
梁伏波介绍，垂直Mini LED的蓝绿芯片和红光芯片有相同的芯片高度，且都是单面出光，显示对比度、发光角度有优异表现；同时，垂直结构的蓝绿芯片可完全避免客户端长时间使用产生的金属离子迁移导致的屏幕黑点异；此外，得益于成熟的封装工艺，封装厂现有大部分设备可以无缝对接，大幅度降低封装厂固定资产投入。目前，晶能5...
芯元基申请垂直堆叠的LED芯片结构及其制作方法专利，解决了垂直堆叠的LED芯片的出光率低的问题 金融界2025年1月20日消息，国家知识产权局信息显示，上海芯元基半导体科技有限公司申请一项名为“垂直堆叠的LED芯片结构及其制作方法”的专利，公开号CN 119317260 A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，本发明提供了一种垂直...
金融界2024年11月4日消息,国家知识产权局信息显示,昆山麦沄显示技术有限公司申请一项名为“一种垂直LED芯片结构及制作方法”的专利,公开号CN 118888671 A,申请日期为2024年7月。 专利摘要显示,本申请公开了一种垂直LED芯片结构及制作方法,包括导电衬底;所述导电衬底下设有背面金属层;所述导电衬底上设有键合金属层;...
据了解,目前LED芯片结构主要有:正装、倒装、垂直三种流派,其中正装结构因低价优势而占据主要市场。 正装结构:p,n电极在LED同一侧,容易出现电流拥挤现象,并且由于蓝宝石衬底导热性差,严重阻碍了热量的散失。在长时间使用过程中,因为散热不好而导致的高温,影响到硅胶的性能和透过率,随着输出功率的不断提高,制约大功率LE...
佛山市国星半导体技术取得一种垂直结构 LED 芯片及其制作方法专利，芯片翘曲度低，良率和稳定性高 金融界 2024 年 8 月 30 日消息，天眼查知识产权信息显示，佛山市国星半导体技术有限公司取得一项名为“一种垂直结构 LED 芯片及其制作方法“，授权公告号 CN109755365B，申请日期为 2019 年 1 月。专利摘要显示，...
近日,半导体所新型显示团队针对研究开发基于垂直结构Micro-LED的显示屏幕技术开展了系列创新性研究,取得了突破性进展,相关研究成果发表在半导体器件领域国际知名期刊IEEE Transactions On Electron Devices上。 显示行业发展的过程是不断拔高视觉感官...
乾照光电取得一种垂直结构LED芯片专利，有效地提升了芯片整体反射率、增加了光提取效率 金融界2023年11月29日消息，据国家知识产权局公告，厦门乾照光电股份有限公司取得一项名为“一种垂直结构LED芯片”，授权公告号CN220106568U，申请日期为2023年4月。专利摘要显示，本实用新型提供了一种垂直结构LED芯片，在所述外延...