随着我国PCB产品结构升级，高单价PCB图形转移设备需求将显著增长。（3）PCB图形转移技术 印制电路板图形转移技术主要应用于内层线路、外层线路和组焊层的加工上，不同功能层的制备均遵循类似的前后道工序，主要包括涂覆感光材料、图形转移、显影三个过程，具体如下：资料来源：普华有策制图 图形转移技术的具体工作过程为...
图1 沉积法与刻蚀法图形转移技术 a沉积过程 b 去除光刻胶后图形 c刻蚀过程 d 去除光刻胶后图形 1刻蚀法图像转移技术第八章Etching method for image transfer technology2目 录8.1 引言
纳米结构的图形转移技术HerecomesyourfooterPage2纳米结构的图形转移技术物理方法化学方法图形转移技术光学光刻技术非光刻图形制备技术纳米结构的自组装技术传统方法HerecomesyourfooterPage3传统的光学光刻技术光刻是制造半导体器件和集成电路微图形结构的关键工艺技术,思路起源于印制技术中的照相制版,属于平面工艺。光学平面印...
第七章+沉积法图形转移技术 第七章沉积法图形转移技术 将曝光或压印形成的有机聚合物纳米图形结构转移到各种功能材料上，是微纳米加工技术的重要组成部分。1
图形转移技术 1、干膜 感光材料介质,由聚酯片基、光敏抗蚀胶膜和聚乙烯保护膜三层构成。片基是光敏抗蚀剂胶膜的载体,使抗蚀干膜保持良好的尺寸稳定性,还可保护抗蚀膜不被磨损;光敏抗蚀剂胶膜由具有光敏性抗蚀树脂组成;聚丙烯或聚乙烯薄膜是覆盖在抗蚀胶层另一面的保护层。
纳米结构的图形转移技术;纳米结构的图形转移技术;传统的光学光刻技术;传统光刻技术遇到的困境:;新一代光刻技术和纳米制造;电子束光刻(Electron Beam Lithography);几种电子束曝光系统的性能;极紫外光刻和X射线光刻;离子束光刻技术;原子光刻技术;摩尔定律:1965年Gordon Moore提出了芯片集成度每两年翻一番(后来改为每...
刻蚀法图形转移技术详解 本文主要详解刻蚀法图形转移技术
一、高密度多层板图形转移工艺控制技术提要 图形转移是制造高密度多层板的关键控制点,也是技术难点,其质量的优劣直接影响多层板的合格率。所以,在制作过程中,必须要达到以下几点: 1、曝光要适度。这样才能达到线条清晰平直,保证图形电镀的合格率及其基板的电性能和其它工艺要求。
光刻胶也称为光致抗蚀剂,是一种光敏材料,它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。 光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后,受到光照的部分变得容易溶解,经过显影后被溶解,只留下未受光照的部分形成图形;而负胶却恰恰相反,经过曝光后,受到光照的部分会变得不易溶解,...
第八章+刻蚀法图形转移技术