第八章+刻蚀法图形转移技术
单项选择题 刻蚀法图形转移技术的关键刻蚀参数:()。 A、掩膜的抗刻蚀比和刻蚀的方向性B、刻蚀的方向性C、掩膜的抗刻蚀比 点击查看答案&解析手机看题 你可能感兴趣的试题 多项选择题 光刻工艺的基本要素主要包括()。 A、对准系统B、光源C、光刻胶 点击查看答案&解析手机看题 单项选择题 定积分与()无关。 A...
图1 沉积法与刻蚀法图形转移技术(a)沉积过程(b) 去除光刻胶后图形(c)刻蚀过程(d) 去除光刻胶后图形2刻蚀法图像转移技术第八章Etching method for image transfer technology3目录 引言 化学湿法腐蚀技术 反应离子刻蚀 反应离子深刻蚀 等离子体刻蚀 离子溅射刻蚀 反应气体刻蚀 其他物理刻蚀技术4☆刻蚀:利用化学或...
文档介绍:刻蚀法图形转移技术-PPT精选*刻蚀法图像转移技术第八章Etching method for image transfer technology*目 技术。例如在硅表面先沉积一层支撑薄膜,例如氧化硅或氮化硅层。通过光刻和金属溶脱剥离或刻蚀工艺制作出所需要的微结构。然后将微结构下面的硅衬底全部腐蚀清除,最后形成仅由薄膜支撑的微结构另一种化学...
刻蚀法图形转移技术详解 本文主要详解刻蚀法图形转移技术
图1 沉积法与刻蚀法图形转移技术(a)沉积过程(b) 去除光刻胶后图形(c)刻蚀过程(d) 去除光刻胶后图形2刻蚀法图像转移技术第八章Etching method for image transfer technology3目录 引言 化学湿法腐蚀技术 反应离子刻蚀 反应离子深刻蚀 等离子体刻蚀 离子溅射刻蚀 反应气体刻蚀 其他物理刻蚀技术4☆刻蚀:利用化学或...
文档介绍:*图1沉积法与刻蚀法图形转移技术(a)沉积过程(b)去除光刻胶后图形(c)刻蚀过程(d)去除光刻胶后图形*刻蚀法图像转移技术第八章Etchingmethodforimagetransfertechnology**☆刻蚀:利用化学或物理方法将未受光刻胶保护部分的材料从表面逐层清除☆刻蚀的两个基本参数:一是掩模的抗刻蚀比(selectivity)二是刻蚀...
图1 沉积法与刻蚀法图形转移技术(a)沉积过程(b) 去除光刻胶后图形(c)刻蚀过程(d) 去除光刻胶后图形2刻蚀法图像转移技术第八章Etching method for image transfer technology3目录 引言 化学湿法腐蚀技术 反应离子刻蚀 反应离子深刻蚀 等离子体刻蚀 离子溅射刻蚀 反应气体刻蚀 其他物理刻蚀技术4☆刻蚀:利用化学或...