器件衬底的电位对于器件特性有很大的影响。在典型的MOS工作中,源/漏结二极管都必须反偏,所以NMOS的衬底连接到系统的最低电压上。 衬底的连接 为什么在典型的MOS工作中,源/漏结二极管都必须反偏? 根据半导体器件物理,MOS晶体管中的源极和漏极是通过在P型衬底上扩散N型材料形成的,这样在源/漏和衬底之间形成了PN结...
器件物理基本知识 器件物理研究半导体器件的性能和工作原理。 其中包括晶体管的结构与特性。电阻器在电路中的作用不可忽视。电容器能存储电荷并影响电路频率。二极管具有单向导电性。三极管能实现电流放大功能。场效应管具有高输入阻抗。器件的材料特性对性能影响巨大。晶体结构决定了半导体的电学性质。 能带结构是理解器件...
我从大学学习历程说一下，学习半导体器件物理之前的前置课程有大学物理、量子力学、电磁场与电磁波、信号...
1、常见MOS符号 区分PMOS和NMOS:小箭头方向表示电流方向(也是PN结方向),PMOS是电流流进器件,NMOS是电流流出器件。 2、常见MOS剖面结构 上图是NMOS(左)和PMOS(右)的剖面结构,低压的MOS一般是一个四端器件,常规的CMOS工艺都是制作在P-substrate上,且器件是对称的,源漏可以互换。(隔离管和中高压管结构特殊,之后会...
学习半导体器件物理的前置课程主要包括以下几门：基础物理：涵盖了力学、热力学、光学、电磁学等领域的基础知识，为理解半导体器件的物理现象提供必要的基础。基础化学：涉及无机化学、有机化学、物理化学等内容，有助于理解半导体材料的特性及其在器件中的应用。数学：包括微积分、线性代数、概率论与数理统计等...
MOS器件物理基础——基本概念 PART01MOSFET 开关 在研究MOSFET的实际工作原理前我们来考虑这种器件的一个简化模型,以便对晶体管有一个感性认识:我们预期它有什么样的特性以及特性的哪些方面是重要的。图1是一个n型MOSFET的符号，图中表示了三个端口:栅(G)、源(S)和漏(D)。这种器件是对称的,因而源和漏可以互换...
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为半导体集成电路的核心器件,充分了解其器件物理基础是每个器件研发人员必不可少的技能。 晶体管的结构、分类:如下图左上,一个基本的MOSFET是由两个背对背的PN结和一个MOS管构成的四端口(D/G/S/B)器件,其沟道长度(L)、宽度(W)、氧化层厚度(OX THK)、结深(Xj THK)是...
集成电路设计:MOS器件物理模型-KIA MOS管 MOS器件是模拟集成电路设计的基础,简单列举一下基本知识点: 1、基本器件模型 以下模型是针对长沟器件 图1 MOS 器件结构 通过模型导出的器件Model通常是一个四端口网络,这是在实际器件中衬底也是需要接参考的。
(完整版)半导体器件物理试题库 (完整版)半导体器件物理试题库 一、选择题（每题2分，共30分）1.本征半导体中，电子浓度 与空穴浓度 的对应是（）A. B. C. D.不确定 2.对于杂质半导体，多子的浓度主要取决于（）A.温度B.杂质浓度C.光照D.电场强度 3.硅二极管的导通电压约为（）A. 0.2V B. 0.3V C...
3、截止频率截止频率:器件电流增益为 1 时的频率 高频等效模型如下: -可编辑修改- 。 栅极总电容 CG 看题目所给条件。 若为理想,CgdT 为 0,CgsT 约等于 Cox,即 CG=Cox; 非理想情况即栅源、栅漏之间有交叠,产生寄生电容:CgdT 的 L 为交叠部分长 度 CgsT 的 L 为 L+交叠部分长度(CgsT=Cgs+Cgsp) ...