半导体材料是信息社会的基石,与第一代材料硅和第二代材料砷化镓相比,第三代材料氮化镓((GaN))具有优异的光学性质和化学稳定性。下列说法错误的是( ) A.简单氢化物中键角的大小顺序:((SiH))_4 ((AsH))_3 ((NH))_3 B.立方氮化镓与金刚砂((SiC))结构相似,均为共价晶体,每个晶胞实际拥有4个氮原子...
和第一代、第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有()等优点。 A.抗辐射性B.高击穿场强C.高饱和电子漂移速率D.高热导率E.高键合能 点击查看答案&解析手机看题 你可能感兴趣的试题 多项选择题 工业控制芯片主要面向于()方面。 A.开关控制量B.模拟量控制C.运动控制D.信息采集E.工业无线 点击查看答案&解...
与第一代和第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。 1. 氮化镓(GaN) 概念股 1)闻泰科技:车载GaN已经量产,全球最优质的氮化镓供应商之一 2)三安光电:化合物半导体代工,已完成部分GaN的产线布局 3)海特高新:海威华芯...
和第一代、第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有()等优点。A.抗辐射性B.高击穿场强C.高饱和电子漂移速率D.高热导率E.高键合能
新一代信息技术产业发展趋势包括材料技术不断创新突破促进电子元器件提质发展,带动电子信息产业提档升级发展。其中第三代半导体材料以()为代表,具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性。更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件。