合封MOS技术在48W电源解决方案中具有以下优势： 高效率：合封MOS芯片通过集成MOSFET和驱动电路，减少了外部元件数量，降低了导通电阻，从而提高了电源转换效率。 小体积：由于集成度高，合封MOS芯片可以减少电路板空间占用，使得电源设计更加紧凑。 易于设计：合封MOS芯片通常具有简化的外围电路设计，降低了设计...
高击穿电压让高压合封mos适应多种高压场景。 散热设计对高压合封mos稳定运行很关键。不同的封装形式满足了多样的应用需求。陶瓷封装提升了高压合封mos的散热与绝缘性。金属封装增强了高压合封mos的机械稳定性。高压合封mos的栅极驱动电路有特定要求。合适的驱动电压能确保高压合封mos正常工作。驱动信号的频率影响着高压...
MOS合封模块简介l MOS合封模块将N沟道与P沟道MOSFET或多N沟道、多P沟道MOSFET集成至单个封装中,现有SOP系列、PDFN系列、SOT系列、TO系列和DFN系列等封装形式,产品涵盖20V~100V电压,可满足不同应用需求。 l 相比于多个单MOS应用提升了产品应用的稳定性和可靠性以及方案的设计效率,节省了PCB应用板面积,优化了产品...
1. 提高集成度:MOS合封技术可以将多个芯片集成在一个封装内,从而实现更高的集成度和更小的体积。这可以使电子设备更加紧凑,同时减少了芯片之间的传输距离,提高了数据传输速度。 2. 降低功耗:由于减少了芯片之间的传输距离,MOS合封技术可以降低功耗。此外,...
福建龙夏电子科技取得多颗MOS管对管合封的PCB板及电池管理系统专利，实现多颗MOS管对管并联封装 金融界2024年12月30日消息，国家知识产权局信息显示，福建龙夏电子科技有限公司取得一项名为“一种多颗MOS管对管合封的PCB板及电池管理系统”的专利，授权公告号CN 222216052 U，申请日期为2023年12月。专利摘要显示，...
一种整流桥合封MOS用框架结构及基于其的封装体专利信息由爱企查专利频道提供,一种整流桥合封MOS用框架结构及基于其的封装体说明:本实用新型涉及一种整流桥合封MOS用框架结构及基于其的封装体,属于电子元器件封装领域,其特征在于,包...专利查询请上爱企查
DrMOS是Driver+MOSFET的缩写,属于Intel在2004年推出的服务器主板节能技术。该技术采用三合一封装形式,即一个驱动器加上两个MOS管。这种封装方式使得DrMOS的面积仅为分离MOSFET的1/4,同时功率密度是分离MOSFET的3倍。此外,由于驱动器和管子的距离更近,寄生参数也得到了优化。这种设计有效地减少了面积并提高了性能。实...
DFN封装是一种体积更小、更轻、更薄的MOS管封装,它的耐压性比较低,因此只适用于低功率、低电压、低电流的应用场合。DFN封装因其结构简单,产量大,成本也相对较低,因此得到了广泛的应用。 二、MOS管封装参数的选择 了解了...
合科泰生产的这款产品是一款低压MOS管,它具有很好的电学特性,IRLML6402具有超低的导通电阻,该MOS管的开启和关闭迅速,它的稳定性和可靠性非常好。它采用P沟道制作,漏源电压-20V,栅源电压±12V,连续漏极电流-3.7A,漏源导通电阻0.065Ω,最小栅极阈值电压-0.4V,最大栅极阈值电压-1.2V,耗散功率1300mW。IRLML6402导...
高压MOS管是电路中不可或缺的重要元件,它能有效提升电子设备的性能和工作效率。 作为一家专业生产MOS产品的原厂,合科泰对高压MOS产品的研发、生产投入很大,目前,合科泰可以自主生产很多种封装的高压MOS,如采用TO-220封装的4N80/6N80产品,采用TO-252封装的HKTD4N50/HKTD4N65,采用TO-263封装的HKTE180N08,采用P...